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Estudo de comutação resistiva em filmes finos de Al2O3 e ZnO para aplicação em dispositivos de “memória resistiva de acesso aleatório” (RRAM) e interruptor eletrônico (IE)...
Por
Rodrigues, Aline do Nascimento
Publicado em 2018
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Tese
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Instituição de defesa
UFS
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Bases coletadas
Repositório Institucional da UFS
1
Programa de Pós-Graduação
Pós-Graduação em Física
Autor
Rodrigues, Aline do Nascimento
1
Orientador(a)
Macêdo, Marcelo Andrade
Tipo de documento
Tese
1
Tipo de acesso
openAccess
1
Idioma
Português
Assunto
Al2O3
Comutação resistiva
1
Filmes finos
1
Pulverização catódica
1
RRAM
1
ZnO
1
Assunto em inglês
Magnetron sputtering
1
Resistive switching
1
Thin films
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Área do conhecimento CNPq
FISICA
1
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