Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETs

• Ano de defesa: 2009
• Autor(a) principal: Bühler, R. T.
• Orientador(a): Giacomini, R.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: Nanotecnologia; Transistores
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/493

A rápida e crescente demanda por tecnologias que permitam a redução das dimensões dos transistores além dos limites físicos permitidos nos transistores planares de porta única, leva a uma nova era de dispositivos com estruturas verticais de geometrias variadas, como estruturas tridimensionais. O FinFET é um desses novos dispositivos. Este trabalho abordou alguns ods principais parâmetros elétricos envolvidos no comportamento e desempenho dos dispositivos FinFET com alertas de formato trapezoidal, destacando quais estruturas apresentam vantagens e desvantagesn de acordo com as variações decorrentes do processo de fabricação. Estudos foram realizados a partir de simulações numéricas tridimensionais de transistores FinFET com alertas de formatos trapezoidais e comprimentos de canal distintos. Foi observada a contribuição das variações dimensionais sobnre transcondutância, a condutância de saída e o ganho intrínseco de tensão que apresentou aumentos de até 1,20dB, apenas com a variação do formato de aleta. Também foram estudados outros parâmetros de suma importência, como a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar. Os diferentes formatos de aletad, quando submetidos a uma análise AC de pequenos sinais, provaram também possuir influência sobre a frequência de ganho unitário, decorrente da mudança na capacitância de porta, devida à variação do acoplamento das cargas ativas no canal com a porta e com o substrato. Variações de até 15% na condutância de saída, como resultado da variação no formato da aleta, e de até 25%, variando-se a largura do dispositivo, foram observadas. A transcondutância possui maior dependência com o formato do dispositivo, variando até 10,11% entre alguns formatos de dispositivos. A frequência de ganho unitário obteve valor máximo para dispositivos estreitos e com canal curto, além da dependência com o formato do dispositivo. A dependência da tensão de limiar com a polarização do substrato, variando o formato do dispositivo, também foi observada. Apesar dos dispositivos terem se mostrado pouco susceptívies à variação da tensão de substrato, para alguns formatos da seção transversal a tensão de limiar apresentou variação de até 5,29%.