[pt] FABRICAÇÃO DE NANOESTRUTURAS CONDUTORAS POR AFM

• Ano de defesa: 2005
• Autor(a) principal: HENRIQUE DUARTE DA FONSECA FILHO
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] FISICA; [pt] MASCARA METALICA; [pt] PONTA DE DIAMANTE; [pt] MICROSCOPIO DE FORCA ATOMICA; [pt] NANOESTRUTURAS; [pt] NANOLITOGRAFIA; [en] PHYSICS; [en] METAL MASK; [en] DIAMOND TIP; [en] ATOMIC FORCE MICROSCOPE; [en] NANOSTRUCTURES; [en] NANOLITHOGRAPHY
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6061&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6061&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.6061

[pt] Nesta dissertação de mestrado, nós desenvolvemos um processo de litografia baseado na técnica de microscopia de força atômica. O estudo do processo de litografia aqui utilizado inicia-se com a deposição e caracterização de filmes finos de sulfeto de arsênio amorfo (a-As2S3) em substratos de silício e a deposição de uma camada metálica de alumínio, utilizada como máscara, sobre a superfície do a-As2S3. O microscópio de força atômica é utilizado para escrever os padrões de forma controlada na camada metálica, e para tal, a influencia dos parâmetros de controle do microscópio na realização da litografia foi analisada. Para a transferência do padrão litografado realiza-se um posterior processo de fotossensibilização e dissolução química do a-As2S3 com uma solução de K2CO3. Após a dissolução, uma camada de ouro foi depositada por erosão catódica DC, seguido de uma nova dissolução, desta vez com NaOH resultando na transferência de nanoestruturas de Au para o substrato de silício.