Estudo do efeito do óxido de silício nas propriedades elétricas e na microestrutura de varistores de ZnO.
Ano de defesa: | 1994 |
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Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
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Universidade Federal de Campina Grande
Brasil Centro de Ciências e Tecnologia - CCT PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA QUÍMICA UFCG |
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Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/10107 |
Resumo: | O presente trabalho estuda a influencia da adição do óxido de silício (SiO2) ao sistema varistor ZnO.Bi20J.Co304.Mn02.Sb2O3. Desta maneira, verificou-se a acção isolada e combinada deste dopante sobre as propriedades elétricas e alterações microestruturais nas amostras cerâmicas sinterizadas em diferentes temperaturas. Para a caracterização elétrica foram realizadas medidas de densidade de corrente em função do campo elétrico aplicado e para a caracterização microestrutural e de fases cerâmicas as técnicas de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e difração de raios-X (DRX) foram utilizadas. Verificou-se que o Si02 quando adicionado em pequenas quantidades, atuou como inibidor de crescimento de grãos e favoreceu a formação de microestruturas mais homogêneas. No sistema quinário sem e com presença do dopante (SiiO2) foram caracterizadas as fases P-Bi2O3, p-Zn2Sb2O12 (espinélio) alem da fase ZnO. Observou-se alteração destas fases com o efeito da temperatura de sinterização e do dopante utilizado, alterando a microestrutura e características elétricas do sistema. |
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Estudo do efeito do óxido de silício nas propriedades elétricas e na microestrutura de varistores de ZnO.Study of the effect of silicon oxide on the electrical properties and microstructure of ZnO varistors.Materiais Não-metálicosÓxido de SilícioVaristores de ZnOAmostras CerâmicasDispositivos Eletro-cerâmicosMateriais Cerâmicos ComplexosNon-metallic materialsSilicon OxideZnO VaristorsCeramic SamplesElectro-ceramic DevicesComplex Ceramic MaterialsEngenharia QuímicaO presente trabalho estuda a influencia da adição do óxido de silício (SiO2) ao sistema varistor ZnO.Bi20J.Co304.Mn02.Sb2O3. Desta maneira, verificou-se a acção isolada e combinada deste dopante sobre as propriedades elétricas e alterações microestruturais nas amostras cerâmicas sinterizadas em diferentes temperaturas. Para a caracterização elétrica foram realizadas medidas de densidade de corrente em função do campo elétrico aplicado e para a caracterização microestrutural e de fases cerâmicas as técnicas de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e difração de raios-X (DRX) foram utilizadas. Verificou-se que o Si02 quando adicionado em pequenas quantidades, atuou como inibidor de crescimento de grãos e favoreceu a formação de microestruturas mais homogêneas. No sistema quinário sem e com presença do dopante (SiiO2) foram caracterizadas as fases P-Bi2O3, p-Zn2Sb2O12 (espinélio) alem da fase ZnO. Observou-se alteração destas fases com o efeito da temperatura de sinterização e do dopante utilizado, alterando a microestrutura e características elétricas do sistema.The present work deals with the influence of silicon oxide (SiOj) addition in the ZnO Bif>3 .Co304 .Mn02 Sb2Oj varistor system. The isolated and combinated action of this oxide upon the electrical properties and microstructure alteration in the ceramics samples sintered in different temperatures were investigated. Electrical characterization, was done by measures of current density versus the applied electric field and rmcrostnictural and ceramic phase characterization were conducted scanning electronic microscopy (MEV) and X-ray dinractometry (DRX). The quinary varistor system (ZnO .BijOj .Co304 .Mh02 .Sb2Oj) with and without addition of silicon oxide (SiOj) were characterized by observing the fi-BijOj, P-Zt^SbjO^ (spinel) as well as ZnO phases. An alteration of these phases as a function of sintering temperatures and dopant (SiOj) employed which in turn provoked changes in microstructure as well as the electrical characteristics of the systen were observed. It was shown that addition of small quantities of silicon oxide inhibited grain growth, help the formation of a homogeneous microstructure.Universidade Federal de Campina GrandeBrasilCentro de Ciências e Tecnologia - CCTPÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA QUÍMICAUFCGKIMINAMI, Ruth Herta Goldschmidt Aliaga.KIMINAMI, R. H. G. A.http://lattes.cnpq.br/7643216999108223FERREIRA, Heber Carlos.PONTES, Luis Renato de Araújo.BRITO, Kalina Ligia Almeida.1994-05-272019-12-11T14:15:44Z2019-12-112019-12-11T14:15:44Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesishttp://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/10107BRITO, Kalina Ligia Almeida de. Estudo do efeito do óxido de silício nas propriedades elétricas e na microestrutura de varistores de ZnO. 1994. 94f. (Dissertação) Mestrado em Engenharia Química, Curso de Mestrado em Engenharia Química, Centro de Ciências e Tecnologia, Universidade Federal da Paraíba - Campus II Campina Grande - Paraíba - Brasil, 1994. Disponível em: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/10107porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFCGinstname:Universidade Federal de Campina Grande (UFCG)instacron:UFCG2022-11-30T18:33:31Zoai:localhost:riufcg/10107Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://bdtd.ufcg.edu.br/PUBhttp://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/oai/requestbdtd@setor.ufcg.edu.br || bdtd@setor.ufcg.edu.bropendoar:48512022-11-30T18:33:31Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFCG - Universidade Federal de Campina Grande (UFCG)false |
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O presente trabalho estuda a influencia da adição do óxido de silício (SiO2) ao sistema varistor ZnO.Bi20J.Co304.Mn02.Sb2O3. Desta maneira, verificou-se a acção isolada e combinada deste dopante sobre as propriedades elétricas e alterações microestruturais nas amostras cerâmicas sinterizadas em diferentes temperaturas. Para a caracterização elétrica foram realizadas medidas de densidade de corrente em função do campo elétrico aplicado e para a caracterização microestrutural e de fases cerâmicas as técnicas de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e difração de raios-X (DRX) foram utilizadas. Verificou-se que o Si02 quando adicionado em pequenas quantidades, atuou como inibidor de crescimento de grãos e favoreceu a formação de microestruturas mais homogêneas. No sistema quinário sem e com presença do dopante (SiiO2) foram caracterizadas as fases P-Bi2O3, p-Zn2Sb2O12 (espinélio) alem da fase ZnO. Observou-se alteração destas fases com o efeito da temperatura de sinterização e do dopante utilizado, alterando a microestrutura e características elétricas do sistema. |
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