Éxcitons em semicondutores magnéticos diluídos
| Ano de defesa: | 2006 |
|---|---|
| Autor(a) principal: |
ALVES, Erivelton de Oliveira
 |
| Orientador(a): |
SOUZA, Márcio Adriano Rodrigues
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| Banca de defesa: | |
| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Goiás
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| Programa de Pós-Graduação: |
Mestrado em Física
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| Departamento: |
Ciências Exatas e da Terra
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| País: |
BR
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| Palavras-chave em Português: | |
| Palavras-chave em Inglês: | |
| Área do conhecimento CNPq: | |
| Link de acesso: | http://repositorio.bc.ufg.br/tede/handle/tde/798 |
Resumo: | We investigate the resonant tunneling of electrons and holes in an asymmetric double quantum bit CdTe / CdMnTe in the presence of electric and magnetic fields applied along the growth direction. We show that in this case it is possible to achieve a condition of simultaneous resonant tunneling of electrons and holes with spin set, ie, a resonant tunneling of excitons polarized. Then we calculated the excitonic binding energy as a function of applied fields, showing the strong dependence of the binding energy with the tunneling of carriers. The electronic structure was calculated using the k ~ ~ p multiband Kane model. The eigenstates were obtained by solving numerically the equations ° C ~ the effective mass using the method of inverse power. The effects of lattice strain were treated by the Bir-Pikus model. The energy calculation of excitonic Dial-Up was conducted using the variational method. We consider the perfectly abrupt interfaces of the heterostructures, ie effects of enlargement of the interfaces were neglected. |
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SOUZA, Márcio Adriano Rodrigueshttp://lattes.cnpq.br/2980610890056479http://lattes.cnpq.br/5216844791672930ALVES, Erivelton de Oliveira2014-07-29T15:07:06Z2010-11-112006-08-02ALVES, Erivelton de Oliveira. Excitons in diluted magnetic semiconductors. 2006. 81 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de Goiás, Goiânia, 2006.http://repositorio.bc.ufg.br/tede/handle/tde/798We investigate the resonant tunneling of electrons and holes in an asymmetric double quantum bit CdTe / CdMnTe in the presence of electric and magnetic fields applied along the growth direction. We show that in this case it is possible to achieve a condition of simultaneous resonant tunneling of electrons and holes with spin set, ie, a resonant tunneling of excitons polarized. Then we calculated the excitonic binding energy as a function of applied fields, showing the strong dependence of the binding energy with the tunneling of carriers. The electronic structure was calculated using the k ~ ~ p multiband Kane model. The eigenstates were obtained by solving numerically the equations ° C ~ the effective mass using the method of inverse power. The effects of lattice strain were treated by the Bir-Pikus model. The energy calculation of excitonic Dial-Up was conducted using the variational method. We consider the perfectly abrupt interfaces of the heterostructures, ie effects of enlargement of the interfaces were neglected.Investigamos o tunelamento ressonante de elétrons e buracos em um pouco quântico duplo assimétrico de CdTe/CdMnTe na presença de campos elétricos e magnéticos aplicados ao longo da direção de crescimento. Mostramos que neste caso é possível alcançar uma condição de tunelamento ressonante simultâneo de elétrons e buracos com spin definido, isto é , um tunelamento ressonante de éxcitons polarizados. Em seguida calculamos a energia de ligação excitônica em função dos campos aplicados, mostrando a forte dependência da energia de ligação com o tunelamento dos portadores. A estrutura eletrônica foi calculada usando o método ~k ~p no modelo multibandas de Kane. Os autoestados foram obtidos resolvendo-se numericamente a equa¸c ao da massa efetiva usando o método das potência inversa. Os efeitos de tensão da rede cristalina foram tratados pelo modelo de Pikus-Bir. O cálculo de energia de ligaçãoo excitônica foi realizado usando o método variacional. Consideramos as interfaces da heteroestrutura perfeitamente abruptas, isto é, efeitos de alargamento das interfaces foram desprezados.Made available in DSpace on 2014-07-29T15:07:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissErivelton Oliveira Alves.pdf: 643061 bytes, checksum: 32148288b33769364a665f4bc2c83e1c (MD5) Previous issue date: 2006-08-02application/pdfhttp://repositorio.bc.ufg.br/TEDE/retrieve/3534/DissErivelton%20Oliveira%20Alves.pdf.jpgporUniversidade Federal de GoiásMestrado em FísicaUFGBRCiências Exatas e da Terraéxcitonstunelamento ressonanteexcitonsresonant tunnelingCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAÉxcitons em semicondutores magnéticos diluídosExcitons in diluted magnetic semiconductorsinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFGinstname:Universidade Federal de Goiás (UFG)instacron:UFGORIGINALDissErivelton Oliveira Alves.pdfapplication/pdf643061http://repositorio.bc.ufg.br/tede/bitstreams/a7beabbd-c9b5-4184-a684-924059c8007d/download32148288b33769364a665f4bc2c83e1cMD51THUMBNAILDissErivelton Oliveira Alves.pdf.jpgDissErivelton Oliveira Alves.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg2860http://repositorio.bc.ufg.br/tede/bitstreams/cc7204df-ab8f-455e-a9df-794024509629/download808ba9490e0a412ce95cf7980edd5650MD52tde/7982014-07-30 03:06:15.028open.accessoai:repositorio.bc.ufg.br:tde/798http://repositorio.bc.ufg.br/tedeRepositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.bc.ufg.br/oai/requesttasesdissertacoes.bc@ufg.bropendoar:2014-07-30T06:06:15Repositório Institucional da UFG - Universidade Federal de Goiás (UFG)false |
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