A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1992
Autor(a) principal: Vania Aguiar Moura
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Schottky, Diodos de barreira de
Epitaxia por feixe molecular
Feixes moleculares
Física
Link de acesso: https://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6
Resumo: In onder to study mechanisms of Fermi levei pinnlg we haveprepared Intrerffiices belrween Al and nGaAs(100) by MBE .The Sahottkybarrier for different, sample t.emporatures is then obtained from I(V) andC(V). As the Schottky barrier is dependent, of interface conditions, wehave measured X-ray difraction of the Al film, in order to determine theAl film orietation . The character of pinning states has been interpreted in terms of the temperature coefficient of the band structure of semiconductor. We have observed that the Schottky barrier height is temperature independent and the results are discussed within the context of the current pinning model.
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spelling 2019-08-14T07:20:57Z2025-09-08T23:45:03Z2019-08-14T07:20:57Z1992-03-09https://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6In onder to study mechanisms of Fermi levei pinnlg we haveprepared Intrerffiices belrween Al and nGaAs(100) by MBE .The Sahottkybarrier for different, sample t.emporatures is then obtained from I(V) andC(V). As the Schottky barrier is dependent, of interface conditions, wehave measured X-ray difraction of the Al film, in order to determine theAl film orietation . The character of pinning states has been interpreted in terms of the temperature coefficient of the band structure of semiconductor. We have observed that the Schottky barrier height is temperature independent and the results are discussed within the context of the current pinning model.Universidade Federal de Minas GeraisFísicaSchottky, Diodos de barreira deEpitaxia por feixe molecularFeixes molecularesFísicaA barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBEinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisVania Aguiar Mourainfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGWagner Nunes RodriguesNivaldo Lucio SpezialiHelio ChachamGerald WeberEste trabalho consiste no estudo do cráter dos estados responsáveis pela determinação da posição de EF na interface ("pinning") entre metal e o semicondutor. Para isso foram preparadas interfaces entre Al e nGaAs (100) crescidas por MBE, sendo a barreira Schottky determinada por medidas elétricas I(V), C(V) para diferentes temperaturas. Como a barreira Schottky mostra-se dependentecdas condições da interface foram feitas medidas de difração de raios-x para determinaçãoda orientação do filme de Al. O caráter dos estados responsáveis pelo "pinning" foi obtido da comparação entre os coeficientes de temperatura de 0B (determinado experimentalmente) e dos máximo e mínimo das bandas de valência e condução, respectivamente. Encontramos que a altura da barreira Schottky é independente da temperatura. Os resultados são discutidos dentro do contexto dos modelos atuais.UFMGORIGINALfisica_vaniaaguiarmoura_dissertacao.pdfapplication/pdf2691623https://repositorio.ufmg.br//bitstreams/42991313-99df-4e1d-8b55-840c6fd3a8ba/download1eeb888a68fe1ba58a8f5de0874ffb47MD51trueAnonymousREADTEXTfisica_vaniaaguiarmoura_dissertacao.pdf.txttext/plain86639https://repositorio.ufmg.br//bitstreams/a27de53b-bcf0-45fc-b8f5-deeeb51a0b24/downloadee3221b7b2478a44191eeb99cd928cdcMD52falseAnonymousREAD1843/BUBD-9BTRG62025-09-08 20:45:03.942open.accessoai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-9BTRG6https://repositorio.ufmg.br/Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oairepositorio@ufmg.bropendoar:2025-09-08T23:45:03Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
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