Controle de caos em amostras semi-isolantes de arseneto de gálio

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2008
Autor(a) principal: Samir Lacerda da Silva
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais
UFMG
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Arseneto de gálio semi-isolante
Controle de caos
Epitaxia por Feixe Molecular
Semicondutores
Arseneto de gálio
Física
Link de acesso: http://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVQS3
Resumo: Low frequency current oscillations have been usually investigated under the influence of the external applied bias, the temperature and the illumination. A parallel applied magnetic field has been used in the present work in order to obtain odd periodic windows and bifurcations inside them in a two dimension parameter space in a semi-insulating GaAs grown by molecular beam epitaxy. Two kinds of parameter spaces have been used in order to stabilize the odd periodic windows and the bifurcations, namely, the external applied bias versus the parallel magnetic field and the illumination versus the parallel magnetic field. We report on a successful observation of stable cycles of periodicity 3, 4, 5, 6, 7 and 8 inside a period-3 window. An example of bifurcation route is presented following the sequence from chaos to 4, 3, 6, 3, 5, 7, 5, and back to chaos in the parameter space of bias versus magnetic field. In this bifurcation route we will show which branch of the cycle is bifurcating and which are coalescing.
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