Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2006
Autor(a) principal: Moises Augusto da Silva Monteiro de Araujo
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais
UFMG
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Silício
Semicondutores
Discordância cristalinas
Estrutura eletrônica
Discordâncias cristalinas
Física
Link de acesso: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W7RZ6
Resumo: S
id UFMG_cf1220584954145e2ce5b9aa8637b9fa
oai_identifier_str oai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-6W7RZ6
network_acronym_str UFMG
network_name_str Repositório Institucional da UFMG
repository_id_str
spelling Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silícioSilícioSemicondutoresDiscordância cristalinasEstrutura eletrônicaSilícioDiscordâncias cristalinasSemicondutoresFísicaEstrutura eletrônicaSNeste trabalho investigamos propriedades eletrônicas e estruturais das discordâncias cristalinas que são importantes para o entendimento: (i) dos mecanismos associados à sua mobilidade pela matriz cristalina; (ii) do papel que elas exercem nos processos de espalhamento e recombinação de portadores de cargas em semicondutores. Ambas análises foram feitas em silício. Na abordagem do primeiro ponto, consideramos como o efeito de carga elétrica nas discordâncias cristalinas parciais a 30° e 90° influencia na estabilidade relativa entre os modelos propostos para a estrutura de seus caroços. De uma forma geral, observamos que estruturas de caroço não se estabilizam em estados de carga positivos. Além disso, nos estados de carga negativos, a estabilidade relativa da reconstrução é diminuída na parcial a 30°, enquanto que na parcial a 90° identificamos uma possível transição entre as geometrias reconstruídas e a não reconstruída. Desta forma, pudemos estabelecer algumas evidências que estão de acordo com observações experimentais de que as discordâncias cristalinas em silício são mais móveis em cristais sob o regime de dopagem tipo-n. Em relação ao segundo ponto, analisamos a interação entre discordâncias cristalinas e vacâncias dos pontos de vista energético e eletrônico. Conseguimos estabelecer uma primeira visão de como é o processo de difusão das vacâncias neutras em regiões próximas aos caroços das discordâncias parciais a 90°: vacâncias são mais estáveis nos sítios centrais do caroço, e devem encontrar barreiras maiores de migração em direção ao caroço através do plano de deslizamento. Ao considerar sistemas carregados, verificamos como é o comportamento do acoplamento vacância-discordância para os cinco estados de carga possíveis para o defeito pontual. Estudamos ainda como as discordâncias influenciam na estabilização das vacâncias, considerando as variações apresentadas em seus níveis de ionização U-negativos. Em geral, nos sítios mais favoráveis à formação de vacâncias no caroço, a região de estabilidade do estado de carga neutro é alargada em relação a uma vacância em bulk, porém, os níveis de ionização U-negativos são mantidos. Utilizamos, em nossos cálculos, metodologias de primeiros princípios e semi-empíricas. Do primeiro grupo, utilizamos a teoria do funcional da densidade, dentro da aproximação do gradiente generalizado para o funcional de troca e correlação, aliada a um tratamento por pseudopotenciais para os elétrons do caroço atômico, e a uma expansão numa base de ondas planas para os estados de valência do sistema. Do segundo grupo, trabalhamos com um tratamento tight-binding para a matriz densidade do sistema que escala, em tempo computacional, linearmente com o número de elétrons.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGRicardo Wagner NunesHelio ChachamLuiz Orlando LadeiraRodrigo Barbosa CapazPedro Paulo de Mello VenezuelaMoises Augusto da Silva Monteiro de Araujo2019-08-11T16:43:00Z2019-08-11T16:43:00Z2006-06-14info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/1843/IACO-6W7RZ6info:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMG2019-11-14T06:17:34Zoai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-6W7RZ6Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oairepositorio@ufmg.bropendoar:2019-11-14T06:17:34Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
dc.title.none.fl_str_mv Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
title Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
spellingShingle Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
Moises Augusto da Silva Monteiro de Araujo
Silício
Semicondutores
Discordância cristalinas
Estrutura eletrônica
Silício
Discordâncias cristalinas
Semicondutores
Física
Estrutura eletrônica
title_short Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
title_full Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
title_fullStr Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
title_full_unstemmed Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
title_sort Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
author Moises Augusto da Silva Monteiro de Araujo
author_facet Moises Augusto da Silva Monteiro de Araujo
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Ricardo Wagner Nunes
Helio Chacham
Luiz Orlando Ladeira
Rodrigo Barbosa Capaz
Pedro Paulo de Mello Venezuela
dc.contributor.author.fl_str_mv Moises Augusto da Silva Monteiro de Araujo
dc.subject.por.fl_str_mv Silício
Semicondutores
Discordância cristalinas
Estrutura eletrônica
Silício
Discordâncias cristalinas
Semicondutores
Física
Estrutura eletrônica
topic Silício
Semicondutores
Discordância cristalinas
Estrutura eletrônica
Silício
Discordâncias cristalinas
Semicondutores
Física
Estrutura eletrônica
description S
publishDate 2006
dc.date.none.fl_str_mv 2006-06-14
2019-08-11T16:43:00Z
2019-08-11T16:43:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W7RZ6
url http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W7RZ6
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
UFMG
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
UFMG
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFMG
instname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG
instname_str Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron_str UFMG
institution UFMG
reponame_str Repositório Institucional da UFMG
collection Repositório Institucional da UFMG
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
repository.mail.fl_str_mv repositorio@ufmg.br
_version_ 1835273026809102336

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