Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2008
Autor(a) principal: Jose Luis Gonzalez Arango
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais
UFMG
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Arsenieto de gálio
Dinâmica de crescimento
Semicondutores
Arsenieto de índio
Crescimento de nanofios
Semicondutores de arsenieto de índio
Nanofios
Semicondutores de arsenieto de gálio
Física
Link de acesso: http://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVNEZ
Resumo: S
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