Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2006
Autor(a) principal: Silva, Pablo Dutra da
Orientador(a): Galup-Montoro, Carlos
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Florianópolis, SC
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Link de acesso: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89313
Resumo: Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.
id UFSC_aca1e37d7b5dc22b99e583304367a1ec
oai_identifier_str oai:repositorio.ufsc.br:123456789/89313
network_acronym_str UFSC
network_name_str Repositório Institucional da UFSC
repository_id_str
spelling Universidade Federal de Santa CatarinaSilva, Pablo Dutra daGalup-Montoro, CarlosSousa, Fernando Rangel de2012-10-22T19:21:12Z2012-10-22T19:21:12Z20062006233928http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89313Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.Neste trabalho, é proposto um modelo compacto para não-linearidades em transistores MOS desenvolvido com base nas equações de canal curto do modelo #Advanced Compact MOSFET# (ACM). As maiores vantagens deste modelo são a simplicidade de suas equações e a forma explícita com que se determinam as nãolinearidades do transistor MOS em função do nível de inversão. Além disso, são discutidas as causas físicas de um aumento de linearidade observado em inversão moderada, chamado #Sweet Spot#. Através de medidas, concluiu-se que efeitos de segunda ordem, principalmente a saturação da velocidade dos portadores em transistores de canal curto, são as principais causas do aumento de linearidade observado. In this work, a compact model for nonlinearities in MOS transistors derived from the short-channel equations of the Advanced Compact MOSFET (ACM) is proposed. The main advantages of the referred model are simplicity of the equations and the explicit determination of the nonlinearities of the MOSFET with respect to the inversion level. In addition, the physical causes of a linearity improvement observed in moderate inversion level, called #Sweet Spot#, are discussed. The measurements shown that second order effects, principally the carrier velocity saturation in short-channel transistors, are the main causes of the linearity improvement observed.xiii, 59 f.| il., grafs.porFlorianópolis, SCEngenharia eletricaCircuitos integradosModelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINAL233928.pdfapplication/pdf1327332https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/89313/1/233928.pdfd6a15031677dcf39c4baf31805ebf12fMD51TEXT233928.pdf.txt233928.pdf.txtExtracted Texttext/plain129036https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/89313/2/233928.pdf.txt4d31e38f56a972fc25cb1b4f7b9a432bMD52THUMBNAIL233928.pdf.jpg233928.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg981https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/89313/3/233928.pdf.jpg3f3d1db507a8e851d172f9a4de30399eMD53123456789/893132013-05-04 21:49:22.976oai:repositorio.ufsc.br:123456789/89313Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestsandra.sobrera@ufsc.bropendoar:23732013-05-05T00:49:22Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
title Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
spellingShingle Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
Silva, Pablo Dutra da
Engenharia eletrica
Circuitos integrados
title_short Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
title_full Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
title_fullStr Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
title_full_unstemmed Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
title_sort Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
author Silva, Pablo Dutra da
author_facet Silva, Pablo Dutra da
author_role author
dc.contributor.pt_BR.fl_str_mv Universidade Federal de Santa Catarina
dc.contributor.author.fl_str_mv Silva, Pablo Dutra da
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Galup-Montoro, Carlos
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Sousa, Fernando Rangel de
contributor_str_mv Galup-Montoro, Carlos
Sousa, Fernando Rangel de
dc.subject.classification.pt_BR.fl_str_mv Engenharia eletrica
Circuitos integrados
topic Engenharia eletrica
Circuitos integrados
description Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.
publishDate 2006
dc.date.submitted.pt_BR.fl_str_mv 2006
dc.date.issued.fl_str_mv 2006
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2012-10-22T19:21:12Z
dc.date.available.fl_str_mv 2012-10-22T19:21:12Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89313
dc.identifier.other.pt_BR.fl_str_mv 233928
identifier_str_mv 233928
url http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89313
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv xiii, 59 f.| il., grafs.
dc.publisher.none.fl_str_mv Florianópolis, SC
publisher.none.fl_str_mv Florianópolis, SC
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFSC
instname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron:UFSC
instname_str Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron_str UFSC
institution UFSC
reponame_str Repositório Institucional da UFSC
collection Repositório Institucional da UFSC
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/89313/1/233928.pdf
https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/89313/2/233928.pdf.txt
https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/89313/3/233928.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv d6a15031677dcf39c4baf31805ebf12f
4d31e38f56a972fc25cb1b4f7b9a432b
3f3d1db507a8e851d172f9a4de30399e
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
repository.mail.fl_str_mv sandra.sobrera@ufsc.br
_version_ 1851759195308687360