Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2007
Autor(a) principal: Zoccal, Leonardo Breseghello, 1977-
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: [s.n.]
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Transistores bipolares
Transistores de efeito de campo
Nitreto de silício
Arsenieto de gálio
Passivation
Silicon nitride film
MISFET
MESFET
HBT
Link de acesso: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605998
Resumo: Orientador: Jose Alexandre Diniz
id UNICAMP-30_00b77bdcec7ec087dc45aa99abbc394d
oai_identifier_str oai::413636
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECRDevelopment of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasmaTransistores bipolaresTransistores de efeito de campoNitreto de silícioArsenieto de gálioPassivationSilicon nitride filmMISFETMESFETHBTOrientador: Jose Alexandre DinizTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de ComputaçãoResumo: Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor), e transistores bipolares de heterojunção (HBT), respectivamente. O processo de passivação visa à máxima redução da densidade de estados de superfícies semicondutoras para níveis menores que 1012 cm-2. A alta densidade de estados na superfície do GaAs provoca corrente de fuga nas regiões ativas dos transistores MESFET e HBT, reduzindo o desempenho destes dispositivos. Além disso, impossibilita a formação de dispositivos MISFET sobre os substratos de GaAs, devido à alta densidade de estados na região da interface isolante-semicondutor. Para o estudo da passivação de superfícies, filmes de nitreto de silício (SiNX) são depositados diretam nte por plasma ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Vapor Deposition) sobre substratos de GaAs e heteroestruturas do tipo InGaP/GaAs. Os plasmas ECR foram analisados por espectroscopia de emissão óptica (OES), e identificou-se baixa formação de espécies H e NH na fase gasosa para pressão de processo de 2,5 mTorr. Os filmes de SiNX foram caracterizados estruturalmente por espectroscopia de absorção do infravermelho (FTIR) e por elipsometria, que indicaram, respectivamente, a formação de ligações Si-N e valores de índice de refração es de nitreto de silício. Capacitores MIS e transisto T foram fabricados para avaliar os efeitos da passivação sobre os dispositivos. Os excelentes resultados obtidos, tais como transist o e em torno de 2,0 nos filmres MISFET e HB ores HBT passivados apresentando maiores ganhos de corrente do que os não-passivados, e os transistores MISFET apresentando maiores valores de transcondutância do que os MESFET (que foram usados como dispositivos de controle), indicam que o nosso processo de passivação é muito eficiente, sendo completamente compatível com a tecnologia de fabricação de circuitos integrados monolíticos de microondas (MMIC)Abstract: This work presents a simple passivation method for III-V semiconductor surfaces of gallium arsenide (GaAs) substrates and indium-gallium phosphide on gallium arsenide (InGaP/GaAs) heterostructures, which are us in field effect transistors MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) and MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor) and heterojunction bip lar transistors (HBT), respectively. The passivation process aims the maximum reduction of semiconductor surface state density at levels lower than 1012 states/cm2. The high surface state density on GaAs surface produces current leakage in active regions of MESFET and HBT transistors, reducing the device performance. Furthermore, the MISFET device formation on GaAs substrate is not allowed, passivation study, silicon nitride films (SiNX) are deposited by ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Deposition Vapor) plasma directly over GaAs substrate and InGaP/GaAs heterostructures. The ECR plasmas were analyzed by optical emission spectroscopy, (OES), and low formation of H and NH molecules in the gas phase was detected at process pressure of 2.5 mTorr. The SiNX film structural characterization was obtained by infra-red absorption spectrometry (FTIR) and ellipsometry, which, respectively, indicate the Si-N bo tive index values of about 2.0 at the silicon nitride films. MIS cap BT transistors were fabricated to verify the passivation process effect on devices. The excellent results obtained, such as higher and formation and refracacitors, MISFET and H current gain of passivated device compared to unpassivated HBTs and higher transconductances of MISFET devices compared to MESFET (which were used as control devices), indicate that our simple passivation process is very efficient, being fully compatible with monolithic microwave integrated circuits (MMIC)DoutoradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaDoutor em Engenharia Elétrica[s.n.]Diniz, José Alexandre, 1964-Martins, EversonFrateschi, Newton CesárioSwart, Jacobus WillibrordusTatsch, Peter JürgenDoi, IoshiakiUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASZoccal, Leonardo Breseghello, 1977-20072007-05-12T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf171 p. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605998ZOCCAL, Leonardo Breseghello. Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR. 2007. 171 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605998. Acesso em: 27 fev. 2025.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/413636porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-27T08:44:14Zoai::413636Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-27T08:44:14Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma
title Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
spellingShingle Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Zoccal, Leonardo Breseghello, 1977-
Transistores bipolares
Transistores de efeito de campo
Nitreto de silício
Arsenieto de gálio
Passivation
Silicon nitride film
MISFET
MESFET
HBT
title_short Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
title_full Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
title_fullStr Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
title_full_unstemmed Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
title_sort Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
author Zoccal, Leonardo Breseghello, 1977-
author_facet Zoccal, Leonardo Breseghello, 1977-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Diniz, José Alexandre, 1964-
Martins, Everson
Frateschi, Newton Cesário
Swart, Jacobus Willibrordus
Tatsch, Peter Jürgen
Doi, Ioshiaki
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Zoccal, Leonardo Breseghello, 1977-
dc.subject.por.fl_str_mv Transistores bipolares
Transistores de efeito de campo
Nitreto de silício
Arsenieto de gálio
Passivation
Silicon nitride film
MISFET
MESFET
HBT
topic Transistores bipolares
Transistores de efeito de campo
Nitreto de silício
Arsenieto de gálio
Passivation
Silicon nitride film
MISFET
MESFET
HBT
description Orientador: Jose Alexandre Diniz
publishDate 2007
dc.date.none.fl_str_mv 2007
2007-05-12T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605998
ZOCCAL, Leonardo Breseghello. Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR. 2007. 171 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605998. Acesso em: 27 fev. 2025.
identifier_str_mv (Broch.)
ZOCCAL, Leonardo Breseghello. Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR. 2007. 171 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605998. Acesso em: 27 fev. 2025.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605998
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/413636
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
171 p. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1829137290987831296

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