Estrutura eletrônica de H Quimissorvido em Si (III)

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1985
Autor(a) principal: Medeiros, Djalma
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: [s.n.]
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Estrutura eletrônica
Superfícies (Física)
Link de acesso: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578647
Resumo: Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva
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spelling Estrutura eletrônica de H Quimissorvido em Si (III)Estrutura eletrônicaSuperfícies (Física)Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da SilvaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: A estrutura eletrônica da superfície Si(111) , com e sem quimissorção de hidrogênio, tem sido calculada usando o método de renormalização. Uma comparação dos resultados com aqueles obtidos de experiências e de outros cálculos indicam que o presente método é bastante conveniente para calcular a estrutura eletrônica de superfíciesAbstract: The electronic structure of the Si(111) surface with and without chemisorption of hydrogen, has been calculated throuth the renormalization method. A comparison of the results with those obtained from experiments and fr9mothercalculations indicates that the present method is quite convenient for the calculation of electronic structures of surfacesMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Silva, Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da, 1946-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMedeiros, Djalma19851985-08-14T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf98 f.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578647MEDEIROS, Djalma. Estrutura eletrônica de H Quimissorvido em Si (III). 1985. 98 f Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578647. Acesso em: 27 fev. 2025.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/51605porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-12-01T14:48:10Zoai::51605Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-12-01T14:48:10Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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