Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1996
Autor(a) principal: Diniz, José Alexandre, 1964-
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: [s.n.]
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Implantação iônica
Filmes finos
Nitrogênio
Link de acesso: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584381
Resumo: Orientador: Peter Jurgen Tatsch
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spelling Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)Implantação iônicaFilmes finosNitrogênioOrientador: Peter Jurgen TatschTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através da implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2) e de óxido nítrico (NO+) com baixa energia em óxidos de silício crescidos termicamente sobre substratos de silício ou em substratos de silício com posterior oxidação térmica... Observação: O resumo na integra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digitalAbstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy) films by low-energy molecular nitrogen (N/) or nitric oxide (NO+) ion implantation in thermal silicon oxide (SiO2) grown on silicon substrate or into silicon substrate prior to thermal oxidation... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertationsDoutoradoDoutor em Engenharia Elétrica[s.n.]Tatsch, Peter Jürgen, 1949-Swart, Jacobus WillibrordusDamiani, FurioPudenzi, Márcio Alberto AraújoMorimoto, Nilton ItiroUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASDiniz, José Alexandre, 1964-19961996-09-20T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf140 f. : il.(Enc.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584381DINIZ, José Alexandre. Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+). 1996. 140 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584381. Acesso em: 27 fev. 2025.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/114331porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-05-29T14:59:12Zoai::114331Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-05-29T14:59:12Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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