Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1998
Autor(a) principal: Campomanes Santana, Ricardo Robinson
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: [s.n.]
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587026
Resumo: Orientador: Ivan Chambouleyron
id UNICAMP-30_ad6095dd7136c73d17d147e98ce84a61
oai_identifier_str oai::170578
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenadoSemicondutores amorfosGermânioArsênioNitrogênioFósforoOrientador: Ivan ChambouleyronTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"Resumo: Neste trabalho são apresentadas e discutidas diversas informações relativas às propriedades estruturais e optoeletrônicas de filmes dopados tipo-n de a-Ge:H, usando impurezas de p e As (fontes sólidas) e N (usando o gás NH3). Também foram estudadas as mudanças estruturais no a-Ge:H induzidos pelo N, numa faixa de concentrações de nitrogênio de ~2-6 at. %. As amostras foram crescidas por rf- sputtering. Como técnicas de caracterização utilizaram-se medidas de condutividade no escuro e fotodeflexão (PDS) e espectroscopias de transmissão óptica (na faixa NIR- VIS) e infravermelho. No que se refere ao estudo da dopagern, foi confirmada a dopagem ativa do a- Ge:H com P e As usando pela primeira vez fontes sólidas como dopantes. Observaram-se variações da energia de ativação de ~0.3 eV e aumento da condutividade a temperatura ambiente de ~ 3 ordens de grandeza, para as três impurezas utilizadas. O As mostrou-se ser o dopante menos eficaz. Em relação ao segundo estudo, encontrou-se que o nitrogênio prefere incorporar-se nos filmes na forma de radicais NH e NH2 e foi sugerido que esses radicais induzem a formação de cavidades no material. Foi observado pela primeira vez o deslocamento da freqüência de vibração Ge-H stretching surface-like para menores energias, fato explicado como sendo devido à diminuição do volume médio das cavidades em função da concentração de nitrogênioAbstract: In this work several informations are presented and discussed about structura1 and optoelectronic properties of doped samples of hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H) using P, As (solid sources) and N (using NH3) as doping impurities. In addition, we studied structura1 changes of a-Ge:H induced by N, in the nitrogen concentration range of ~2-6 at. %. The samples were deposited by rf- sputtering and characterized by Photothermal Deflection Spectroscopy (PDS), optical transmission spectroscopy in the Near InfraRed- Visible and lnfraRed and measurements of dark conductivity. With respect to doping, the active doping of a-Ge:H was confirmed for the first time by using solid sources of P and As as impurities. We observed activation energy changes about ~0.3 eV and a room temperature conductivity increase of about ~3 orders of magnitude for the three impurities used. Arsenic showed to be the less efficient dopant. In relation with the second study, we found the preferential incorporation of N as NH and NH2 radicals and we suggest that these radicals induce the creation of cavities in the material. We observed for the first time a shift of the vibration frequency of a-Ge:H stretching surface-like to lower energies, this fact was explained as being due to decreasing of the average void volume as a function of the nitrogen concentrationDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Chambouleyron, Ivan Emilio, 1937-Pereyra, InesAntonelli, AlexComedi, David MarioCamargo Junior, Sergio Alvaro de SouzaUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASCampomanes Santana, Ricardo Robinson19981998-12-17T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf97 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587026CAMPOMANES SANTANA, Ricardo Robinson. Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado. 1998. 97 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587026. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/170578porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-11T08:16:07Zoai::170578Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-11T08:16:07Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
title Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
spellingShingle Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
Campomanes Santana, Ricardo Robinson
Semicondutores amorfos
Germânio
Arsênio
Nitrogênio
Fósforo
title_short Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
title_full Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
title_fullStr Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
title_full_unstemmed Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
title_sort Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado
author Campomanes Santana, Ricardo Robinson
author_facet Campomanes Santana, Ricardo Robinson
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Chambouleyron, Ivan Emilio, 1937-
Pereyra, Ines
Antonelli, Alex
Comedi, David Mario
Camargo Junior, Sergio Alvaro de Souza
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Campomanes Santana, Ricardo Robinson
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores amorfos
Germânio
Arsênio
Nitrogênio
Fósforo
topic Semicondutores amorfos
Germânio
Arsênio
Nitrogênio
Fósforo
description Orientador: Ivan Chambouleyron
publishDate 1998
dc.date.none.fl_str_mv 1998
1998-12-17T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587026
CAMPOMANES SANTANA, Ricardo Robinson. Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado. 1998. 97 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587026. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587026
identifier_str_mv CAMPOMANES SANTANA, Ricardo Robinson. Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogênio de filmes de germânio amorfo hidrogenado. 1998. 97 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587026. Acesso em: 2 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/170578
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
97 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809189696711950336