Estudo de propriedades ópticas e de transporte em estruturas semicondutoras com dopagem planar

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1993
Autor(a) principal: Mendonça, Cesar Augusto Curvello de
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: [s.n.]
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Semicondutores
Espectroscopia de luminescência
Link de acesso: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1580442
Resumo: Orientador: Eliermes Arraes Meneses
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spelling Estudo de propriedades ópticas e de transporte em estruturas semicondutoras com dopagem planarSemicondutoresEspectroscopia de luminescênciaOrientador: Eliermes Arraes MenesesTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho estudamos estruturas semicondutoras que promovem o confinamento de buracos fotogerados, na banda de valência. Nos sistemas periódicos compostos por múltiplos planos de dopagem d (M-d), este confinamento é mais evidente quando o espaçamento entre os planos decresce e o limite quântico é atingido. Por outro lado, a diminuição do período nestas estruturas leva a uma mudança de caráter, de bi para tridimensional, no que diz respeito aos elétrons. Este último efeito vem da formação de estruturas tipo mini-bandas(no esquema dos níveis de energia) para períodos curtos. Ambos os efeitos acima podem ser claramente observados pela drástica modificação mostrada pelos espectros de fotoluminescência e excitação de fotoluminescência em função da diminuição do espaçamento entre os planos. Os resultados das medidas de magneto-transporte também reforçam as interpretações dadas para os efeitos observados nas medidas ópticas. Além das estruturas tipo M-d , foi estudado o sistema obtido quando se introduz um d no centro de um poço quântico. O confinamento tanto dos elétrons como dos buracos fotogerados, nestas estruturas, é garantido pela existência das barreiras. A presença de uma banda de emissão acima do 'gap' do GaAs indica que o confinamento favorece os processos de recombinação envolvendo estes portadores, para ambas as estruturasAbstract: In this work we investigated semiconductor microstructures which provide the confinement of photogenerated holes. In systems obtained by periodically doping a layer of homogeneous material (M-d), this confinement is evidenced as the spacing between the dopant plans decreases and quantum limit for holes is achieved. On the other hand, as far as electrons are concerned, when the period of these structures is shortened, the bidimensional character of a single d well changes to a tridimensional one, of a short period superlattice. Instead of a well defined level system, in short period structures, minibands with finite width will occur. Both the effects mentioned above can be clearly understood in terms of the drastic changes present in the photoluminescence and photo- luminescence excitation spectra, as a function of the decrease of the d-layer spacing. When a d-layer is introduced in the center of a quantum well, the confinement of both electrons and photogenerated holes is garanteed by the existence of the AlGaAs barriers. The emission band above the GaAs band-gap energy indicates that recombination processes, involving these carriers, have their probability strongly increased by the confinementDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Meneses, Eliermes Arraes, 1943-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMendonça, Cesar Augusto Curvello de19931993-04-23T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf[84]f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1580442MENDONÇA, Cesar Augusto Curvello de. Estudo de propriedades ópticas e de transporte em estruturas semicondutoras com dopagem planar. 1993. [84]f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1580442. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/62529porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2015-02-13T14:46:37Zoai::62529Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2015-02-13T14:46:37Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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