Propriedades óptico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de íons

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1998
Autor(a) principal: Origo, Fabio Dondeo
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: [s.n.]
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Semicondutores amorfos
Germânio
Bombardeio iônico
Porosidade
Link de acesso: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587646
Resumo: Orientadores: Ivan Emilio Chambouleyron, David Comedi
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spelling Propriedades óptico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de íonsSemicondutores amorfosGermânioBombardeio iônicoPorosidadeOrientadores: Ivan Emilio Chambouleyron, David ComediDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho, apresentamos resultados experimentais de filmes de germânio amorfo hidrogenado, que são relacionados com a influência de parâmetros de deposição como temperatura do substrato, hidrogenação da amostra, taxa de deposição e bombardeamento in situ. As amostras foram depositadas pela técnica de Ion Assisted Ion Beam Sputtering, na qual os parâmetros de deposição são praticamente independentes ( ao contrário das técnicas usuais como glow discharge, rf e magnetron Sputtering). Desta forma, ao invés de se tratar de um trabalho de otimização, esta é uma pesquisa para compreensão da influência dos parâmetros de deposição nas propriedades das amostras. As técnicas experimentais utilizadas na caracterização dos filmes são Espectroscopía de infravermelho, Espectroscopía de 'visível' e Espectroscopía de deflexão fototérmica (PDS). Os resultados indicam que a taxa de deposição exerce pouca influência nas propriedades medidas. A hidrogenação gera diminuição da densidade de defeitos e abertura do gap. O bombardeamento in situ dos filmes de a-Ge:H proporciona aumento da quantidade de grande voids, de acordo com o aumento do parâmetro de microestrutura da amostra, obtido a partir da análise de infravermelho. Verificamos que amostras sem pico de absorção surface-like podem ser obtidas removendo-se o bombardeamento assistido na deposiçãoAbstract: Not informedMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Chambouleyron, Ivan Emilio, 1937-Comedi, David Mario, 1961-Zanatta, Antonio RicardoGorenstein, AnnetteUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASOrigo, Fabio Dondeo19981998-12-16T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf62 f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587646ORIGO, Fabio Dondeo. Propriedades óptico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de íons. 1998. 62 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1587646. Acesso em: 27 fev. 2025.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/175806porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-11T14:34:47Zoai::175806Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-11T14:34:47Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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