Produção e caracterização de transistores de filmes de óxidos metálicos depositados por pulverização ultrassônica - Silva, Bruno Farias da [UNESP] (2024)
Nesta dissertação de mestrado foi realizado o planejamento e construção de um protótipo para um sistema de deposição automatizada, controlando a temperatura, tempo de deposição, fluxo de solução, número de ciclos e posição da ponta ultrassônica, de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica de spray ultrassônico pirólise, a fim de estudar o impacto de diferentes fatores de confecção no comportamento elétrico dos filmes depositados usando soluções aquosas que são mais amigáveis ao meio ambiente. Para analisar a qualidades dos filmes, foi feita a produção e a caracterização de transistores de filmes finos (TFT do inglés thin film transistors) de óxido de zinco e óxido de cobre sobre substratos de silício ou lamínula de vidro com gate de óxido de silício e de gel iônico, verificando a qualidade do sistema desenvolvido, a influência de parâmetros de confecção como solvente, fluxo de solução e fluxo laminar nas características físicas e elétricas dos filmes de óxido depositados de forma automatizada. As propriedades dos filmes foram analisadas por medidas elétricas da curva de saída e de transferência e a espessura através de medidas de perfilometria, que proporcionaram uma maior compreensão da influência do substrato no processo de deposição e da importância de um fluxo laminar para o transporte da nuvem de solução pulverizada a fim de alcançar filmes com comportamento homogêneo. Com as caracterizações elétricas foi possível demonstrar a capacidade do sistema de depositar diferentes óxidos metálicos por meio de soluções precursoras aquosas com propriedades próximas às de filmes depositados por spray pirólise com pulverização por aerografo.