Estudo do poder de freamento eletrônico de íons de He e B canalizados em Si

• Ano de defesa: 1997
• Autor(a) principal: Santos, Jose Henrique Rodrigues dos
• Orientador(a): Behar, Moni
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Implantação de íons
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/149850

Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e B ao longo da direção < 100 > do Si, com energias que vão desde 200 ke V a 4,5 Me V, no primeiro caso, e de 500 ke V a 9 MeV, no segundo. Usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford com amostras do tipo SIMOX, as quais consistem de uma camada de Si monocristalino sobre uma camada de 500 nm de Si02 enterrada numa matriz de Si < 100 >. No método experimental empregado, a perda de energia dos íons canalizados é obtida depois de os mesmos serem retroespalhados em um marcador especialmente utilizado para esse fim. Para ambos os tipos de projétil, a curva da razão a entre os poderes de freamento de canalização e em direções aleatórias exibe um máximo largo e decresce lentamente a energias mais altas, em conseqüência do aumento da contribuição da camada L do Si para o poder de freamento eletrônico, como é indicado por cálculos de Aproximação de Born de Onda Plana (PWBA).