Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI NMOSFET. - Almeida, Galba Falce de (2004)
Este trabalho apresenta um estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em dispositivos GC SOI MOSFET. Estes são transistores SOI com uma estrutura de dopantes assimétrica no canal (Graded-Channel). Vários estudos sobre esses parâmetros já foram realizados em dispositivos SOI convencionais em regime de triodo e saturação, mas nunca antes realizados em GC SOI. A existência desta assimetria do canal traz fortes dependências destes parâmetros com a polarização aplicada ao dispositivo, situação esta não observada em SOI convencional. Além desta dependência, dispositivos GC SOI com o mesmo comprimento de canal na máscara dos SOI convencionais apresentam valores de resistência total menores, contudo sua resistência série possui valores superiores. Esses resultados mostram que o comprimento de canal efetivo dos transistores assimétricos é sensivelmente menor do que aquele fixado pelo processo de fabricação como sendo a distância existente entre a fonte e o dreno. Contudo, esta influência com a polarização aplicada sugere uma modulação deste comprimento. Este comportamento vem limitar alguns conceitos preestabelecidos para dispositivos GC SOI como a existência do dreno virtual. Como tais parâmetros mostraram-se fortemente dependentes do comprimento da região assimétrica nestes transistores, o conhecimento do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal se faz muito importante ao se fabricar dispositivos com grandes comprimentos de região menos dopada frente àquele apresentado pelo comprimento do canal total. Métodos de extração de tais parâmetros desenvolvidos para MOS e SOI convencional foram aplicados em GC SOI e seus resultados analisados eletricamente.