Deposição de silício policristalino por LPCVD. - Pedrine, Antonio Giacomo (1993)
Neste trabalho apresentamos o processo de deposição de silício policristalino por LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) utilizando nitrogênio como gás carregador. Para caracterização do processo, obtivemos inicialmente a relação entre fração molar de silana e taxa de deposição do filme. Com esse resultado, pudemos notar a pequena influência do processo de difusão de massa. Através de fotomicrografias de força atômica e varredura, pudemos acessar a influência da fração molar de silana na rugosidade superficial do filme. Analises por difração de raios-x mostraram que o filme exibe as seguintes orientações cristalográficas preferenciais: (110), (111), (311) e (331). Através de fotomicrografias de força atômica verificou-se que o tamanho de grão para filmes de espessura 0,5 micrometros possui tamanho de grão variando de 100 a 240 nanometros (valores próximos dos obtidos através de medidas de raios-x). Verificou-se também a estrutura colunar do filme.