Comportamento eletroquímico das interfases cobre-H2SO4 na ausência e presença de triazóis, surfactantes e misturas composto triazólico-surfactante - Silva, Douglas Kais da (2006)
Foi estudado o comportamento eletroquímico de interfases Cu/H2SO4 0,5 mol L-1 na ausência e presença de compostos triazólicos - benzotriazol (BTAH) e tolitriazol (TTAH) e de surfactantes: dodecilsulfato de sódio (SDS aniônico) e cloreto de dodecilamônio (DAC catiônico) a 25ºC, empregando eletrodo parado e de disco rotativo (EDR). Foram empregadas como técnicas medidas de potencial de circuito aberto, polarização potenciostática e potenciodinâmica, cronoamperometria, espectroscopia de impedância eletroquímica e microscopia óptica. As características inibidoras do filme formado dependem da natureza dos aditivos e das condições hidrodinâmicas. As interfases contendo BTAH, TTAH, BTAH + TTAH, BTAH + SDS e TTAH + SDS apresentaram uma faixa ampla de potencial em que o cobre se mostrou passivado, chegando a 200 mV para a mistura BTAH + SDS empregando EDR. Densidades de corrente de passivação tão baixas quanto 2µA cm-2 foram observadas com EDR na presença de BTAH + TTAH. As misturas composto triazólico - surfactante mostraram filmes menos resistentes. Os surfactantes isolados não produzem faixa passiva e antecipam o potencial de oxidação do cobre com eletrodo parado. As misturas triazol - DAC só produzem faixa passiva com EDR. Todos os aditivos se mostraram inibidores para a reação H+/H2, destacando-se, com eletrodo parado, BTAH, TTAH e BTAH + TTAH.