Propriedades Óticas de Poços Quânticos de GaAs/AlGaAs

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1997
Autor(a) principal: Valter César Montanher
Orientador(a): Euzi Conceicao Fernandes da Silva
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade de São Paulo
Programa de Pós-Graduação: Física
Departamento: Não Informado pela instituição
País: BR
Link de acesso: https://doi.org/10.11606/D.43.2017.tde-23102017-143621
Resumo: Neste trabalho investigamos as propriedades óticas de poços quânticos de GaAs/GaAlAs, crescidos no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP com a técnica de MBE (\"Molecular Beam Epitaxy\"), utilizando as técnicas experimentais de foto luminescência (PL) e fotoluminescência-excitação (PLE). Analisamos duas amostras de poços quânticos não dopados crescidas sob diferentes condições experimentais e com diferentes parâmetros estruturais. As amostras têm a mesma largura nominal de poço (Lw ~c I 00 Á) e diferem em outros parâmetros, sendo que os mais importantes destes são a largura nominal da barreira (L,,) e a interrupção do crescimento nas interfaces de GaAs/GaAlAs. A amostra #241 (#419) obtida com interrupção de crescimento (sem interrupção de crescimento) tem largura nominal da barreira L\"= 500 Á(Lh c\" 300 Á)
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spelling info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis Propriedades Óticas de Poços Quânticos de GaAs/AlGaAs Optical properties of GaAs / AlGaAs semiconductive heterostructures 1997-02-27Euzi Conceicao Fernandes da SilvaValter César MontanherUniversidade de São PauloFísicaUSPBR Condensed Matter; Semiconductors Matéria Condensada ; Semicondutores Neste trabalho investigamos as propriedades óticas de poços quânticos de GaAs/GaAlAs, crescidos no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP com a técnica de MBE (\"Molecular Beam Epitaxy\"), utilizando as técnicas experimentais de foto luminescência (PL) e fotoluminescência-excitação (PLE). Analisamos duas amostras de poços quânticos não dopados crescidas sob diferentes condições experimentais e com diferentes parâmetros estruturais. As amostras têm a mesma largura nominal de poço (Lw ~c I 00 Á) e diferem em outros parâmetros, sendo que os mais importantes destes são a largura nominal da barreira (L,,) e a interrupção do crescimento nas interfaces de GaAs/GaAlAs. A amostra #241 (#419) obtida com interrupção de crescimento (sem interrupção de crescimento) tem largura nominal da barreira L\"= 500 Á(Lh c\" 300 Á) In this work we investigated the optical properties of GaAs/GaAlAs quantum wells grown by MBE (Molecular Beam Epitaxy) at the Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP, using photoluminescence and photoluminescence-excitation techniques. Two non-intentionally doped samples grown under difterent experimental conditions and with dift\'erent structural limit were analysed. The samples had the same nominal quantum well width (Lw = I 00 Â) but different nominal barrier width (Lb) and the growth-intenuption time at the interfaces. The sample #241 (#419) was grown with (without) growth-interruption at both interfaces of the quantum well and has nominal barrier width ~. = 500 Â (Lb = 300 Â) https://doi.org/10.11606/D.43.2017.tde-23102017-143621info:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USP2023-12-21T19:59:59Zoai:teses.usp.br:tde-23102017-143621Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212018-07-17T16:38:18Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
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