Estudo do contato metal-semicondutor em \'GA\'\'AS\' e sua contribuição na construção de Mesfet. - Lee, Hong Keun (1991)
Este trabalho consiste em estudar e otimizar contatos metal-semicondutor de arseneto de galido para construção de transistores Mesfet. Para chegar a este objetivo construiu-se dispositivos de caracterização dos contatos e camada ativa; desenvolveu-se uma tecnologia de construção de transistor Mesfet de microonda; e finalmente caracterizou o transistor e comparou os resultados obtidos experimentalmente com os obtidos teoricamente (estimados com dispositivos de caracterização). A comparação dos resultados mostraram a validade dos métodos de caracterização e a tecnologia de construção de transistor Mesfet desenvolvida. O transistor construído com comprimento de porta de 1, 2 microns apresentou características de microondas consideradas boas. O contato ôhmico obtido a base de material sinterizado \'PD\'/\'GE\'/\'AU\' mostrou ter baixa resistividade e uma boa morfologia de superficie, o que permitiria maior interação.