Influência do conteúdo de carbono nos materiais de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-\'IND.1-X SI\'\'IND.X C\'h). - Onmori, Roberto Koji (1990)
O presente trabalho visa a obtenção de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-\'SI IND.1-X\'\'C IND.X\':h) com um reator de Desarga Luminosa (DL) do laboratório de microeletrônica da Universidade de São Paulo (lME-USP). Uma sequência de caracterizações ópticas, elétricas e composicionais foi realizada para acompanhar a evolução da incorporação de carbono nos filmes na fase sólida em função da pressão parcial de metano e da densidade de pot~encia do RF. A efeiciência da incorporação do carbono foi estudada a partir da espectroscopia de eletrons AUGER. Com a espectroscopia de infravermelho, foram analisadas os tipos de ligações possíveis do carbono com hidrogênio e silício. A estabilidade das ligações foi verificada submetendo-se as amostras a tratamentos térmicos. A possibilidade de desenvolvimento de filmes de a-\'SI IND.1-X\'\'C IND.X\':h com alta resistividade, baixa densidade de estados e transparências elevadas permitiu o uso do material estudado em alguns dispositivos fotovoltáicos e eletrônicos.