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... de háfnio (AlxHf1-xOy) como dielétricos de porta, além disso, estes filmes dielétricos foram caracterizados...

Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS.

Publicado em 2012
Dissertação

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...Neste trabalho foram crescidos filmes finos de oxinitreto de silício (SiOxNy) por processamento...

Fabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP).

Publicado em 2017
Tese