Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2003
Autor(a) principal: Salgado, César Marques
Outros Autores: Instituto de Engenharia Nuclear
Orientador(a): Conti, Cláudio Carvalho
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Instituto de Engenharia Nuclear
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Radioproteção e Dosimetria
Departamento: Instituto de Radioproteção e Dosimetria
País: Brasil
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://carpedien.ien.gov.br:8080/handle/ien/1931
Resumo: Este trabalho visa estudar possíveis procedimentos para a determinação de espectros de fótons, gerado por um tubo raios X, utilizados em diagnóstico médico (RXD) que opera na faixa de m20 a 150 Kv, permitindo, assim, o estabelecimento mais preciso das qualidades dos feixes de RXD, contribuindo para diminuir as incertezas nos processos de calibração de câmaras de ionização. Com esta finalidade, foram selecionados dois tipos de detectores, um detector de telureto de cádmio e zinco (CZT) e outro de germânio (HPGe planar). A interação do feixe de raios X com esses detectores fornece uma distribuição de altura de pulsos (DAP) que não representa o espectro verdadeiro de fótons incidentes, devido à presença de fótons escapes K, espelhamento Compton e ao fato da eficiência de detecção diminuir abruptamente com o aumento da energia dos fótons. Uma análise detalhada destes efeitos espúrios envolvidos na detecção foi realizada com a utilização do código MCNP 4B (código computacional para transporte de nêutrons e fótons) na modelagem dos detectores. Um procedimento de desmembramento (stripping) é descrito para a implementação em um computador pessoal para o detector HPGe, obtendo assim, o real espectro de energia de fótons do aparelho de raios X. As curvas de resposta do detector, obtidos por modelagem foram comparadas com dados obtidos experimentalmente, utilizando-se fontes pontuais. A validade deste método é testada por comparação com os espectros teóricos para as condições do tubo de raios X e, também, comparando-se os valores de kerma no ar determinados para este detector e medidos por uma câmara de ionização padrão secundário.
id IEN_485e559372084e2fca3b85d574e4e7e7
oai_identifier_str oai:carpedien.ien.gov.br:ien/1931
network_acronym_str IEN
network_name_str Repositório Institucional do IEN
spelling Salgado, César MarquesInstituto de Engenharia NuclearBecker, Paulo Henrique BastosConti, Claudio de CarvalhoLopes, Ricardo TadeuFonseca, Evaldo Simões daSuita, Júlio CezarConti, Cláudio Carvalho2017-09-26T18:55:34Z2017-09-26T18:55:34Z2003-08http://carpedien.ien.gov.br:8080/handle/ien/1931Submitted by Marcele Costal de Castro (costalcastro@gmail.com) on 2017-09-26T18:55:34Z No. of bitstreams: 1 CESAR MARQUES SALGADO M.pdf: 3473675 bytes, checksum: 2b5a708871e86c34a4f43ffa3852b0df (MD5)Made available in DSpace on 2017-09-26T18:55:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CESAR MARQUES SALGADO M.pdf: 3473675 bytes, checksum: 2b5a708871e86c34a4f43ffa3852b0df (MD5) Previous issue date: 2003-08Este trabalho visa estudar possíveis procedimentos para a determinação de espectros de fótons, gerado por um tubo raios X, utilizados em diagnóstico médico (RXD) que opera na faixa de m20 a 150 Kv, permitindo, assim, o estabelecimento mais preciso das qualidades dos feixes de RXD, contribuindo para diminuir as incertezas nos processos de calibração de câmaras de ionização. Com esta finalidade, foram selecionados dois tipos de detectores, um detector de telureto de cádmio e zinco (CZT) e outro de germânio (HPGe planar). A interação do feixe de raios X com esses detectores fornece uma distribuição de altura de pulsos (DAP) que não representa o espectro verdadeiro de fótons incidentes, devido à presença de fótons escapes K, espelhamento Compton e ao fato da eficiência de detecção diminuir abruptamente com o aumento da energia dos fótons. Uma análise detalhada destes efeitos espúrios envolvidos na detecção foi realizada com a utilização do código MCNP 4B (código computacional para transporte de nêutrons e fótons) na modelagem dos detectores. Um procedimento de desmembramento (stripping) é descrito para a implementação em um computador pessoal para o detector HPGe, obtendo assim, o real espectro de energia de fótons do aparelho de raios X. As curvas de resposta do detector, obtidos por modelagem foram comparadas com dados obtidos experimentalmente, utilizando-se fontes pontuais. A validade deste método é testada por comparação com os espectros teóricos para as condições do tubo de raios X e, também, comparando-se os valores de kerma no ar determinados para este detector e medidos por uma câmara de ionização padrão secundário.porInstituto de Engenharia NuclearPrograma de Pós-Graduação em Radioproteção e DosimetriaIENBrasilInstituto de Radioproteção e DosimetriaEspectrometria gamaRaios X diagnósticoMonte Carlo MCNP 4BDetectores semicondutoresEstudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticosinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional do IENinstname:Instituto de Engenharia Nuclearinstacron:IENLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81748http://carpedien.ien.gov.br:8080/xmlui/bitstream/ien/1931/2/license.txt8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33MD52ORIGINALCESAR MARQUES SALGADO M.pdfCESAR MARQUES SALGADO M.pdfapplication/pdf3473675http://carpedien.ien.gov.br:8080/xmlui/bitstream/ien/1931/1/CESAR+MARQUES+SALGADO+M.pdf2b5a708871e86c34a4f43ffa3852b0dfMD51ien/1931oai:carpedien.ien.gov.br:ien/19312017-09-26 15:55:34.35Dspace IENlsales@ien.gov.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
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
title Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
spellingShingle Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
Salgado, César Marques
Espectrometria gama
Raios X diagnóstico
Monte Carlo MCNP 4B
Detectores semicondutores
title_short Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
title_full Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
title_fullStr Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
title_full_unstemmed Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
title_sort Estudo de detectores semicondutores com aplicação em raios X diagnósticos
author Salgado, César Marques
author_facet Salgado, César Marques
Instituto de Engenharia Nuclear
author_role author
author2 Instituto de Engenharia Nuclear
author2_role author
dc.contributor.referees1.none.fl_str_mv Conti, Claudio de Carvalho
dc.contributor.referees2.none.fl_str_mv Lopes, Ricardo Tadeu
dc.contributor.referees3.none.fl_str_mv Fonseca, Evaldo Simões da
dc.contributor.referees4.none.fl_str_mv Suita, Júlio Cezar
dc.contributor.author.fl_str_mv Salgado, César Marques
Instituto de Engenharia Nuclear
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Becker, Paulo Henrique Bastos
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Conti, Cláudio Carvalho
contributor_str_mv Becker, Paulo Henrique Bastos
Conti, Cláudio Carvalho
dc.subject.por.fl_str_mv Espectrometria gama
Raios X diagnóstico
Monte Carlo MCNP 4B
Detectores semicondutores
topic Espectrometria gama
Raios X diagnóstico
Monte Carlo MCNP 4B
Detectores semicondutores
dc.description.abstract.por.fl_txt_mv Este trabalho visa estudar possíveis procedimentos para a determinação de espectros de fótons, gerado por um tubo raios X, utilizados em diagnóstico médico (RXD) que opera na faixa de m20 a 150 Kv, permitindo, assim, o estabelecimento mais preciso das qualidades dos feixes de RXD, contribuindo para diminuir as incertezas nos processos de calibração de câmaras de ionização. Com esta finalidade, foram selecionados dois tipos de detectores, um detector de telureto de cádmio e zinco (CZT) e outro de germânio (HPGe planar). A interação do feixe de raios X com esses detectores fornece uma distribuição de altura de pulsos (DAP) que não representa o espectro verdadeiro de fótons incidentes, devido à presença de fótons escapes K, espelhamento Compton e ao fato da eficiência de detecção diminuir abruptamente com o aumento da energia dos fótons. Uma análise detalhada destes efeitos espúrios envolvidos na detecção foi realizada com a utilização do código MCNP 4B (código computacional para transporte de nêutrons e fótons) na modelagem dos detectores. Um procedimento de desmembramento (stripping) é descrito para a implementação em um computador pessoal para o detector HPGe, obtendo assim, o real espectro de energia de fótons do aparelho de raios X. As curvas de resposta do detector, obtidos por modelagem foram comparadas com dados obtidos experimentalmente, utilizando-se fontes pontuais. A validade deste método é testada por comparação com os espectros teóricos para as condições do tubo de raios X e, também, comparando-se os valores de kerma no ar determinados para este detector e medidos por uma câmara de ionização padrão secundário.
description Este trabalho visa estudar possíveis procedimentos para a determinação de espectros de fótons, gerado por um tubo raios X, utilizados em diagnóstico médico (RXD) que opera na faixa de m20 a 150 Kv, permitindo, assim, o estabelecimento mais preciso das qualidades dos feixes de RXD, contribuindo para diminuir as incertezas nos processos de calibração de câmaras de ionização. Com esta finalidade, foram selecionados dois tipos de detectores, um detector de telureto de cádmio e zinco (CZT) e outro de germânio (HPGe planar). A interação do feixe de raios X com esses detectores fornece uma distribuição de altura de pulsos (DAP) que não representa o espectro verdadeiro de fótons incidentes, devido à presença de fótons escapes K, espelhamento Compton e ao fato da eficiência de detecção diminuir abruptamente com o aumento da energia dos fótons. Uma análise detalhada destes efeitos espúrios envolvidos na detecção foi realizada com a utilização do código MCNP 4B (código computacional para transporte de nêutrons e fótons) na modelagem dos detectores. Um procedimento de desmembramento (stripping) é descrito para a implementação em um computador pessoal para o detector HPGe, obtendo assim, o real espectro de energia de fótons do aparelho de raios X. As curvas de resposta do detector, obtidos por modelagem foram comparadas com dados obtidos experimentalmente, utilizando-se fontes pontuais. A validade deste método é testada por comparação com os espectros teóricos para as condições do tubo de raios X e, também, comparando-se os valores de kerma no ar determinados para este detector e medidos por uma câmara de ionização padrão secundário.
publishDate 2003
dc.date.issued.fl_str_mv 2003-08
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2017-09-26T18:55:34Z
dc.date.available.fl_str_mv 2017-09-26T18:55:34Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
status_str publishedVersion
format masterThesis
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://carpedien.ien.gov.br:8080/handle/ien/1931
url http://carpedien.ien.gov.br:8080/handle/ien/1931
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Instituto de Engenharia Nuclear
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de Pós-Graduação em Radioproteção e Dosimetria
dc.publisher.initials.fl_str_mv IEN
dc.publisher.country.fl_str_mv Brasil
dc.publisher.department.fl_str_mv Instituto de Radioproteção e Dosimetria
publisher.none.fl_str_mv Instituto de Engenharia Nuclear
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional do IEN
instname:Instituto de Engenharia Nuclear
instacron:IEN
reponame_str Repositório Institucional do IEN
collection Repositório Institucional do IEN
instname_str Instituto de Engenharia Nuclear
instacron_str IEN
institution IEN
bitstream.url.fl_str_mv http://carpedien.ien.gov.br:8080/xmlui/bitstream/ien/1931/2/license.txt
http://carpedien.ien.gov.br:8080/xmlui/bitstream/ien/1931/1/CESAR+MARQUES+SALGADO+M.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33
2b5a708871e86c34a4f43ffa3852b0df
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Dspace IEN
repository.mail.fl_str_mv lsales@ien.gov.br
_version_ 1623394160984719360