Desenvolvimento de c?lulas solares em sil?cio tipo n com emissor formado com boro

• Ano de defesa: 2010
• Autor(a) principal: Bruschi, Diogo Lino
• Orientador(a): Moehlecke, Adriano
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul
• Programa de Pós-Graduação: Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais
• Departamento: Faculdade de Engenharia
• País: BR
• Palavras-chave em Português: ENGENHARIA DE MATERIAIS; C?LULAS SOLARES; SIL?CIO; SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS
• Link de acesso: http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3151

O Sol ? fonte de energia renov?vel e o seu uso para produzir energia el?trica ? uma das alternativas promissoras para enfrentar os desafios energ?ticos e ambientais do novo mil?nio. O sil?cio ? o segundo material mais abundante da Terra. Este material ? largamente usado na ind?stria de c?lulas solares e microeletr?nica, apresenta baixos ?ndices de contamina??es e permite a fabrica??o de dispositivos de alta durabilidade. O Si tipo n vem despertando o interesse mundial devido a sua maior toler?ncia a impurezas, tais como ferro e oxig?nio, por apresentar degrada??o reduzida e maior tempo de vida dos portadores minorit?rios. O objetivo deste trabalho est? centrado no desenvolvimento de um processo de fabrica??o industrial de c?lulas solares p+nn+, pseudoquadradas de 80 mm x 80 mm, sobre sil?cio crescido por fus?o zonal flutuante (Si-FZ) tipo n, com metaliza??o por serigrafia. A regi?o p+ foi produzida a partir de boro depositado por spin-on e difundido a alta temperatura em forno convencional. A dopagem da regi?o p+ foi otimizada considerando as caracter?sticas el?tricas das c?lulas solares. A temperatura de difus?o foi variada de 900 ?C a 1020 ?C e os tempos de 10 min a 40 min. A passiva??o de superf?cie foi implementada utilizando SiO2 o que demonstrou n?o ser eficaz para reduzir a recombina??o de superf?cie. Os melhores dispositivos foram fabricados com difus?o de boro a 1000 ?C por 30 min, sem passiva??o de superf?cie, atingindo-se efici?ncias de 14,6 %.