Caracterização ótica de poços quânticos de GaMnAs

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2007
Autor(a) principal: Holgado, Danny Pilar Araucano
Orientador(a): Gobato, Yara Galvão lattes
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de São Carlos
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF
Departamento: Não Informado pela instituição
País: BR
Palavras-chave em Português:
Semicondutores
Heteroestrutura semicondutora
Fotoluminescência
Magneto-luminescência
Área do conhecimento CNPq:
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Link de acesso: https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5008
Resumo: In this work, we have studied GaAs/AlAs/Ga1-xMnxAs quantum wells (QWs) with low Mn concentration ( 0 < x < 0,2%). The samples were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) in high temperature (450 C). The growth conditions were chosen to reduce the incorporation of As and interstitial Mn resulting in samples of good optical quality. We have studied samples growth in (311B) and (001) GaAs substrates with different manganese concentrations, x = 0.0%, 0.07%; 0.1%;. We have performed measurements of polarized resolved photoluminescence for magnetic field up to 15T in Faraday configuration. We determined the degree of circular polarization and the excitonic spin-splitting for the QW emission as function of magnetic field.
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