Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2009
Autor(a) principal: Vieira, Aline de Lima
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Programa de Pós-graduação em Física
Física
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Filmes finos
Carbono amorfo
Catodo oco
Deposição por plasma
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Link de acesso: https://app.uff.br/riuff/handle/1/19193
Resumo: This work has the object to study the hydrogenated amorphous carbon films a-C:H deposited by parallel plate hollow cathode plasma in silicon substrate. The results obtained were compared with hydrogenated amorphous carbon films a-C:H deposited by usual PECVD (Plasma Enhances Chemical Vapor Deposition). Stress, hardness, refraction índex, self-bias potential versus RF power, deposition rate and emission optical spectroscopy were measured. The stress increased when the films were deposited by hollow cathode, the hardness didn't have important alteration and the refraction index curve versus self-bias potential presented a way very similar the stress curve. In order to obtain a determinate self-bias potential is necessary a greater RF power when the hollow cathode is used. The H' line intensity curve versus deposition rate is linear and the deposition rate for deposition of films by hollow cathode increased when compared when usual PECVD. We believe that the obtained results occur because in deposition by hollow cathode plasma the density increases if compared with usual PECVD plasma.
id UFF-2_b11caf687f61cb0973dc3d0ff90f6c76
oai_identifier_str oai:app.uff.br:1/19193
network_acronym_str UFF-2
network_name_str Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
repository_id_str
spelling Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo ocoFilmes finosCarbono amorfoCatodo ocoDeposição por plasmaCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAThis work has the object to study the hydrogenated amorphous carbon films a-C:H deposited by parallel plate hollow cathode plasma in silicon substrate. The results obtained were compared with hydrogenated amorphous carbon films a-C:H deposited by usual PECVD (Plasma Enhances Chemical Vapor Deposition). Stress, hardness, refraction índex, self-bias potential versus RF power, deposition rate and emission optical spectroscopy were measured. The stress increased when the films were deposited by hollow cathode, the hardness didn't have important alteration and the refraction index curve versus self-bias potential presented a way very similar the stress curve. In order to obtain a determinate self-bias potential is necessary a greater RF power when the hollow cathode is used. The H' line intensity curve versus deposition rate is linear and the deposition rate for deposition of films by hollow cathode increased when compared when usual PECVD. We believe that the obtained results occur because in deposition by hollow cathode plasma the density increases if compared with usual PECVD plasma.Este trabalho destina-se a estudar os filmes de carbono amorfo hidrogenado a-C:H depositados por plasma de catodo oco de placas paralelas em substratos de silício. Os resultados obtidos foram comparados com os filmes de carbono amorfo hidrogenado a-C:H depositados por PECVD usual (do inglês Plasma Enhances Chemical Vapor Deposition). Foram feitas medidas de tensão interna, dureza mecânica, índice de refração, tensão de auto-polarização em função da potência do plasma, taxa de deposição e das linhas dos espectros de emissão óptica do plasma. Os filmes depositados por catodo oco apresentaram uma maior tensão interna, a dureza mecânica não sofreu alteração considerável e a curva do índice de refração em função do potencial de auto-polarização apresentou um comportamento muito parecido com a curva da tensão interna. Para obter um determinado potencial de auto-polarização, é necessária uma potência muito maior quando é utilizado o catodo oco. A curva da intensidade da linha H' em função da taxa de deposição é linear e a taxa de deposição para os filmes depositados por catodo oco e muito maior que para PECVD usual. Acreditamos que os dados obtidos ocorrem pois nas deposições por plasma de catodo oco há uma maior densidade do que nas deposições por plasma de PECVD usual.Programa de Pós-graduação em FísicaFísicaFranceschini Filho, Dante FerreiraCPF:11155566422http://lattes.cnpq.br/4956035681407259Vieira, Aline de Lima2021-03-10T20:46:44Z2011-05-042021-03-10T20:46:44Z2009-09-29info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://app.uff.br/riuff/handle/1/19193porCC-BY-SAinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)instname:Universidade Federal Fluminense (UFF)instacron:UFF2021-03-10T20:46:44Zoai:app.uff.br:1/19193Repositório InstitucionalPUBhttps://app.uff.br/oai/requestriuff@id.uff.bropendoar:21202021-03-10T20:46:44Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) - Universidade Federal Fluminense (UFF)false
dc.title.none.fl_str_mv Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
title Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
spellingShingle Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
Vieira, Aline de Lima
Filmes finos
Carbono amorfo
Catodo oco
Deposição por plasma
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
title_short Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
title_full Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
title_fullStr Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
title_full_unstemmed Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
title_sort Deposição de filmes de carbono amorfo hidrogenado por plasma de catodo oco
author Vieira, Aline de Lima
author_facet Vieira, Aline de Lima
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Franceschini Filho, Dante Ferreira
CPF:11155566422
http://lattes.cnpq.br/4956035681407259
dc.contributor.author.fl_str_mv Vieira, Aline de Lima
dc.subject.por.fl_str_mv Filmes finos
Carbono amorfo
Catodo oco
Deposição por plasma
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
topic Filmes finos
Carbono amorfo
Catodo oco
Deposição por plasma
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
description This work has the object to study the hydrogenated amorphous carbon films a-C:H deposited by parallel plate hollow cathode plasma in silicon substrate. The results obtained were compared with hydrogenated amorphous carbon films a-C:H deposited by usual PECVD (Plasma Enhances Chemical Vapor Deposition). Stress, hardness, refraction índex, self-bias potential versus RF power, deposition rate and emission optical spectroscopy were measured. The stress increased when the films were deposited by hollow cathode, the hardness didn't have important alteration and the refraction index curve versus self-bias potential presented a way very similar the stress curve. In order to obtain a determinate self-bias potential is necessary a greater RF power when the hollow cathode is used. The H' line intensity curve versus deposition rate is linear and the deposition rate for deposition of films by hollow cathode increased when compared when usual PECVD. We believe that the obtained results occur because in deposition by hollow cathode plasma the density increases if compared with usual PECVD plasma.
publishDate 2009
dc.date.none.fl_str_mv 2009-09-29
2011-05-04
2021-03-10T20:46:44Z
2021-03-10T20:46:44Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://app.uff.br/riuff/handle/1/19193
url https://app.uff.br/riuff/handle/1/19193
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv CC-BY-SA
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv CC-BY-SA
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Programa de Pós-graduação em Física
Física
publisher.none.fl_str_mv Programa de Pós-graduação em Física
Física
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
instname:Universidade Federal Fluminense (UFF)
instacron:UFF
instname_str Universidade Federal Fluminense (UFF)
instacron_str UFF
institution UFF
reponame_str Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
collection Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) - Universidade Federal Fluminense (UFF)
repository.mail.fl_str_mv riuff@id.uff.br
_version_ 1797038127413460992

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