Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2019
Autor(a) principal: Santos, Yvens Pereira dos
Orientador(a): Macêdo, Marcelo Andrade
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Pós-Graduação em Física
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Física
Filmes multicamadas
Dispositivos memresistores
Óxido de zinco (ZnO)
Área do conhecimento CNPq:
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Link de acesso: http://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/12015
Resumo: We present a study on the applicability of multilayer films based on ZnO as memresistors devices. Two groups of films were produced by the Sputtering deposition technique. In the group I (ITO/ZnO/Fe/ZnO and ITO/ZnO/Fe/ZnO/Fe/ZnO) samples were analyzed by X-ray diffractometry (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and magnetization measurements using a vibrating sample magnetometer (VSM), X-ray refletometry (RRX), and an electrical characterization. The samples presented a good performance as memresistor device, with good resistive state retention time (4 × 103s) and differentiation between expressive states, it was also determined the main conduction mechanism present in the sample. We identified the sample thicknesses using the SEM technique that had a good agreement with RRX. The magnetization measurements revealed the presence of weak ferromagnetic behavior at room temperature attributed to the presence of Fe in the film, resistivity measurements as a function of the field suggest the possible presence of giant magnetoresistance effect in the samples. For group II (ITO / ZnO / Gd2O3 / ZnO) was performed the electrical characterization of the samples that indicated the degradation of the memresistor effect proportionally to the increase of Gd2O3 layer deposition time.
id UFS-2_f8834019e6b46736a2c41d3f0ae76c21
oai_identifier_str oai:ufs.br:riufs/12015
network_acronym_str UFS-2
network_name_str Repositório Institucional da UFS
repository_id_str
spelling Santos, Yvens Pereira dosMacêdo, Marcelo Andrade2019-10-11T17:57:54Z2019-10-11T17:57:54Z2019-06-26SANTOS, Yvens Pereira dos. Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores. 2019. 100 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, SE, 2019.http://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/12015We present a study on the applicability of multilayer films based on ZnO as memresistors devices. Two groups of films were produced by the Sputtering deposition technique. In the group I (ITO/ZnO/Fe/ZnO and ITO/ZnO/Fe/ZnO/Fe/ZnO) samples were analyzed by X-ray diffractometry (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and magnetization measurements using a vibrating sample magnetometer (VSM), X-ray refletometry (RRX), and an electrical characterization. The samples presented a good performance as memresistor device, with good resistive state retention time (4 × 103s) and differentiation between expressive states, it was also determined the main conduction mechanism present in the sample. We identified the sample thicknesses using the SEM technique that had a good agreement with RRX. The magnetization measurements revealed the presence of weak ferromagnetic behavior at room temperature attributed to the presence of Fe in the film, resistivity measurements as a function of the field suggest the possible presence of giant magnetoresistance effect in the samples. For group II (ITO / ZnO / Gd2O3 / ZnO) was performed the electrical characterization of the samples that indicated the degradation of the memresistor effect proportionally to the increase of Gd2O3 layer deposition time.Apresentamos um estudo sobre a aplicabilidade de filmes multicamadas baseadas em ZnO como dispositivos memresistores. Foram produzidos dois grupos de filmes através da técnica de deposição Sputtering. No grupo I (ITO/ZnO/Fe/ZnO e ITO/ZnO/Fe/ZnO/Fe/ZnO) as amostras foram analisadas através de difratometria de raios X (DRX), microscopia eletrônica de varredura (MEV) e medidas de magnetização utilizando um magnetômetro de amostra vibrante (VSM), reflectometria de raios X (RRX), além de uma caracterização elétrica. As amostras apresentaram um bom desempenho como dispositivo memresistor, com bom tempo de retenção de estados resistivo (4×103s) e diferenciação entre os estados expressiva, também foi determinado os principais mecanismo de condução presentes na amostra. Identificamos as espessuras das amostras através da técnica de MEV que teve uma boa concordância com a RRX. As medidas de magnetização revelaram a presença de comportamento ferromagnético fraco em temperatura ambiente atribuída a presença do Fe no filme e as medidas de resistividade em função do campo sugerem a possível presença de efeito de magnetoresistência gigante nas amostras. Para o grupo II (ITO/ZnO/Gd2O3/ZnO) foi realizada a caracterização elétrica das amostras que indicaram a degradação do efeito memresistor proporcionalmente ao aumento do tempo de deposição da camada de Gd2O3.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPESSão Cristóvão, SEporFísicaFilmes multicamadasDispositivos memresistoresÓxido de zinco (ZnO)CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAMulticamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistoresinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisPós-Graduação em FísicaUFSreponame:Repositório Institucional da UFSinstname:Universidade Federal de Sergipe (UFS)instacron:UFSinfo:eu-repo/semantics/openAccessTEXTYVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.txtYVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.txtExtracted texttext/plain161143https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/3/YVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.txt43afbb367a3483cbaff45868ccfd1870MD53THUMBNAILYVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.jpgYVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1420https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/4/YVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.jpg73a6c95cbe869a7f42f982cbff1c861cMD54LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81475https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/1/license.txt098cbbf65c2c15e1fb2e49c5d306a44cMD51ORIGINALYVENS_PEREIRA_SANTOS.pdfYVENS_PEREIRA_SANTOS.pdfapplication/pdf5476273https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/2/YVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf476e37e7e1c1585e328d3854436cf6e2MD52riufs/120152019-10-11 14:57:54.842oai:ufs.br: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Repositório InstitucionalPUBhttps://ri.ufs.br/oai/requestrepositorio@academico.ufs.bropendoar:2019-10-11T17:57:54Repositório Institucional da UFS - Universidade Federal de Sergipe (UFS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
title Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
spellingShingle Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
Santos, Yvens Pereira dos
Física
Filmes multicamadas
Dispositivos memresistores
Óxido de zinco (ZnO)
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
title_short Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
title_full Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
title_fullStr Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
title_full_unstemmed Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
title_sort Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores
author Santos, Yvens Pereira dos
author_facet Santos, Yvens Pereira dos
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Santos, Yvens Pereira dos
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Macêdo, Marcelo Andrade
contributor_str_mv Macêdo, Marcelo Andrade
dc.subject.por.fl_str_mv Física
Filmes multicamadas
Dispositivos memresistores
Óxido de zinco (ZnO)
topic Física
Filmes multicamadas
Dispositivos memresistores
Óxido de zinco (ZnO)
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
dc.subject.cnpq.fl_str_mv CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
description We present a study on the applicability of multilayer films based on ZnO as memresistors devices. Two groups of films were produced by the Sputtering deposition technique. In the group I (ITO/ZnO/Fe/ZnO and ITO/ZnO/Fe/ZnO/Fe/ZnO) samples were analyzed by X-ray diffractometry (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and magnetization measurements using a vibrating sample magnetometer (VSM), X-ray refletometry (RRX), and an electrical characterization. The samples presented a good performance as memresistor device, with good resistive state retention time (4 × 103s) and differentiation between expressive states, it was also determined the main conduction mechanism present in the sample. We identified the sample thicknesses using the SEM technique that had a good agreement with RRX. The magnetization measurements revealed the presence of weak ferromagnetic behavior at room temperature attributed to the presence of Fe in the film, resistivity measurements as a function of the field suggest the possible presence of giant magnetoresistance effect in the samples. For group II (ITO / ZnO / Gd2O3 / ZnO) was performed the electrical characterization of the samples that indicated the degradation of the memresistor effect proportionally to the increase of Gd2O3 layer deposition time.
publishDate 2019
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-10-11T17:57:54Z
dc.date.available.fl_str_mv 2019-10-11T17:57:54Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2019-06-26
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.citation.fl_str_mv SANTOS, Yvens Pereira dos. Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores. 2019. 100 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, SE, 2019.
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/12015
identifier_str_mv SANTOS, Yvens Pereira dos. Multicamadas de ZnO aplicadas a dispositivos memresistores. 2019. 100 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, SE, 2019.
url http://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/12015
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.program.fl_str_mv Pós-Graduação em Física
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFS
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFS
instname:Universidade Federal de Sergipe (UFS)
instacron:UFS
instname_str Universidade Federal de Sergipe (UFS)
instacron_str UFS
institution UFS
reponame_str Repositório Institucional da UFS
collection Repositório Institucional da UFS
bitstream.url.fl_str_mv https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/3/YVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.txt
https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/4/YVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf.jpg
https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/1/license.txt
https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/12015/2/YVENS_PEREIRA_SANTOS.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 43afbb367a3483cbaff45868ccfd1870
73a6c95cbe869a7f42f982cbff1c861c
098cbbf65c2c15e1fb2e49c5d306a44c
476e37e7e1c1585e328d3854436cf6e2
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFS - Universidade Federal de Sergipe (UFS)
repository.mail.fl_str_mv repositorio@academico.ufs.br
_version_ 1793351069210771456

Registros relacionados