Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1993
Autor(a) principal: Loss, Itamar Jose Bassanezi
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Transistores
Teses
Semicondutores de oxido metalico
Link de acesso: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75888
Resumo: Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice
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