Silva, W. A. J. (2008). Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um.
Referência de acordo com a norma ChicagoSilva, W. A. J. Estudo Da Transcondutância E Da Razão Da Transcondutância Sobre a Corrente De Dreno SOI NMOSFET De Porta Em Formato De Anel Circular Utilizando Tecnologia SOI CMOS De 0,13 Um. 2008.
Referência de acordo com a norma MLASilva, W. A. J. Estudo Da Transcondutância E Da Razão Da Transcondutância Sobre a Corrente De Dreno SOI NMOSFET De Porta Em Formato De Anel Circular Utilizando Tecnologia SOI CMOS De 0,13 Um. 2008.
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