Almeida, C. R. (2019). Fabricação e caracterização de transistores HBT, vertical MOSFET, JNT e TFET baseados em substratos III-V com passivação por nitreto de silício.
Referência de acordo com a norma ChicagoAlmeida, Cássio Roberto. Fabricação E Caracterização De Transistores HBT, Vertical MOSFET, JNT E TFET Baseados Em Substratos III-V Com Passivação Por Nitreto De Silício. 2019.
Referência de acordo com a norma MLAAlmeida, Cássio Roberto. Fabricação E Caracterização De Transistores HBT, Vertical MOSFET, JNT E TFET Baseados Em Substratos III-V Com Passivação Por Nitreto De Silício. 2019.
Nota: a formatação da citação pode não corresponder 100% ao definido pela respectiva norma, para gerenciar as citações recomenda-se a utilização do software Zotero
, que permite o upload automático das referências do Oasisbr.