Desenvolvimento de t?cnicas para processamento de emissores seletivos em c?lulas solares
Ano de defesa: | 2008 |
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Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul
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Programa de Pós-Graduação: |
Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais
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Departamento: |
Faculdade de Engenharia
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País: |
BR
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Palavras-chave em Português: | |
Área do conhecimento CNPq: | |
Link de acesso: | http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3117 |
Resumo: | O objetivo desta disserta??o foi o desenvolvimento de t?cnicas para a obten??o de emissores seletivos para fabrica??o de c?lulas solares de alta efici?ncia. Uma regi?o seletiva de BSF (Back Surface Field) foi obtida por meio do desenvolvimento da t?cnica A, com emprego de radia??o laser. O equipamento utilizado ? um laser de estado s?lido Nd:YAG, com comprimento de onda do infravermelho pr?ximo (1,064 μm) e perfil de distribui??o de energia gaussiano. Foram utilizados os materiais 1, 2 e 3. O emissor seletivo na regi?o n+ frontal foi obtido por meio de duas t?cnicas (B e C), ambas com a utiliza??o de difus?o por laser: A melhor configura??o de emissor seletivo para a t?cnica B apresentou resist?ncia de folha da ordem de 17 Ω/ e de 178 Ω/, para as regi?es n++ e n+, respectivamente. Para a t?cnica C, concluiu-se que a presen?a de ?xido de sil?cio rico em f?sforo ? necess?ria para obter o emissor seletivo. O melhor resultado em termos da resist?ncia de folha foi de 20 Ω/ (n++) e de 40 Ω/ (n+). |
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