Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2010
Autor(a) principal: Santos, Ednilson Carlos dos
Orientador(a): Gobato, Yara Galvão lattes
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de São Carlos
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF
Departamento: Não Informado pela instituição
País: BR
Palavras-chave em Português:
Semicondutividade e semicondutores
Spintrônica
Tunelamento (Física)
Fotoluminescência
Diodos
Pontos quânticos
Palavras-chave em Inglês:
Spintronic
Tunneling
Photoluminescense
Quantum dots
Diode
Área do conhecimento CNPq:
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Link de acesso: https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027
Resumo: In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current. We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices.
id SCAR_e6496affb3effd2da72ace36dd25dc78
oai_identifier_str oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/5027
network_acronym_str SCAR
network_name_str Repositório Institucional da UFSCAR
repository_id_str
spelling Santos, Ednilson Carlos dosGobato, Yara Galvãohttp://lattes.cnpq.br/7558531056409406http://lattes.cnpq.br/55434669012028092016-06-02T20:16:47Z2010-07-202016-06-02T20:16:47Z2010-05-07SANTOS, Ednilson Carlos dos. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. 2010. 73 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2010.https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current. We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices.Neste trabalho realizamos um estudo detalhado de efeitos de spin em um diodo de tunelamento ressonante GaAs/AlGaAs do tipo n com pontos quânticos de InAs no poço quântico. Os estudos foram realizados a partir de medidas elétricas e ópticas na presença e ausência de campo magnético. Os resultados obtidos na ausência de campo magnético são semelhantes aos resultados publicados na literatura para mesma amostra estudada. Em particular, obtivemos uma boa correlação entre a intensidade de luminescência dos quantum dots e a curva característica corrente - tensão (I(V)) do diodo. Os dados obtidos foram associados aos processos de tunelamento, relaxação e captura de portadores nos níveis de energia dos dots. As medidas realizadas na presença de campo magnético foram feitas da configuração de campo magnético paralelo à corrente elétrica no dispositivo. Tal disposição leva à quebra na degenerescência dos níveis em spin dos dots, e resulta em recombinação de portadores com regras de seleção bem definidas com luz circularmente polarizada. Observamos que tanto a emissão circularmente polarizada à esquerda como à direita são dependentes da tensão aplicada no diodo, principalmente na região de baixas voltagens. À medida que a tensão aumenta, a intensidade de polarização tende a zero. Os resultados obtidos são originais e devem auxiliar na compreensão de fenômenos de spin desses sistemas. Esse trabalho poderá também ter interesse no desenvolvimento de possíveis dispositivos de spintronica contendo pontos quânticos.Universidade Federal de Sao Carlosapplication/pdfporUniversidade Federal de São CarlosPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFUFSCarBRSemicondutividade e semicondutoresSpintrônicaTunelamento (Física)FotoluminescênciaDiodosPontos quânticosSpintronicTunnelingPhotoluminescenseQuantum dotsDiodeCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAPolarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAsinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFSCARinstname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)instacron:UFSCARORIGINAL3100.pdfapplication/pdf15486082https://{{ getenv "DSPACE_HOST" "repositorio.ufscar.br" }}/bitstream/ufscar/5027/1/3100.pdf5571e424d9aa0ed6b176f29ef78c25dcMD51THUMBNAIL3100.pdf.jpg3100.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg6560https://{{ getenv "DSPACE_HOST" "repositorio.ufscar.br" }}/bitstream/ufscar/5027/2/3100.pdf.jpg8685f89b5697ee7797d48c7f27a8313cMD52ufscar/50272019-09-11 02:41:33.742oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/5027Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufscar.br/oai/requestopendoar:43222023-05-25T12:49:27.043230Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)false
dc.title.por.fl_str_mv Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
title Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
spellingShingle Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
Santos, Ednilson Carlos dos
Semicondutividade e semicondutores
Spintrônica
Tunelamento (Física)
Fotoluminescência
Diodos
Pontos quânticos
Spintronic
Tunneling
Photoluminescense
Quantum dots
Diode
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
title_short Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
title_full Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
title_fullStr Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
title_full_unstemmed Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
title_sort Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
author Santos, Ednilson Carlos dos
author_facet Santos, Ednilson Carlos dos
author_role author
dc.contributor.authorlattes.por.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/5543466901202809
dc.contributor.author.fl_str_mv Santos, Ednilson Carlos dos
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Gobato, Yara Galvão
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/7558531056409406
contributor_str_mv Gobato, Yara Galvão
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutividade e semicondutores
Spintrônica
Tunelamento (Física)
Fotoluminescência
Diodos
Pontos quânticos
topic Semicondutividade e semicondutores
Spintrônica
Tunelamento (Física)
Fotoluminescência
Diodos
Pontos quânticos
Spintronic
Tunneling
Photoluminescense
Quantum dots
Diode
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
dc.subject.eng.fl_str_mv Spintronic
Tunneling
Photoluminescense
Quantum dots
Diode
dc.subject.cnpq.fl_str_mv CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
description In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current. We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices.
publishDate 2010
dc.date.available.fl_str_mv 2010-07-20
2016-06-02T20:16:47Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2010-05-07
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2016-06-02T20:16:47Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.citation.fl_str_mv SANTOS, Ednilson Carlos dos. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. 2010. 73 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2010.
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027
identifier_str_mv SANTOS, Ednilson Carlos dos. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. 2010. 73 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2010.
url https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de São Carlos
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFSCar
dc.publisher.country.fl_str_mv BR
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de São Carlos
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFSCAR
instname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)
instacron:UFSCAR
instname_str Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)
instacron_str UFSCAR
institution UFSCAR
reponame_str Repositório Institucional da UFSCAR
collection Repositório Institucional da UFSCAR
bitstream.url.fl_str_mv https://{{ getenv "DSPACE_HOST" "repositorio.ufscar.br" }}/bitstream/ufscar/5027/1/3100.pdf
https://{{ getenv "DSPACE_HOST" "repositorio.ufscar.br" }}/bitstream/ufscar/5027/2/3100.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 5571e424d9aa0ed6b176f29ef78c25dc
8685f89b5697ee7797d48c7f27a8313c
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1767351088378281984

Registros relacionados