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Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2011
Autor(a) principal: Santos, Ingrid Catherine B..
Orientador(a): Pavanello, M. A.
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/661
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