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Operação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canal

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2010
Autor(a) principal: Souza, Márcio A. S.
Orientador(a): Pavanello, M. A.
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Dispositivos eletromecânicos
Tensão mecânica
Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/659
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