Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2019
Autor(a) principal: Cruz, William Souza da
Orientador(a): Gimenez, S. P.
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Radiação ionizante
Porta octogonal - geometria
Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/761
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