Simulação das características elétricas de dispositivos de efeito de campo multiportas nanométricos

• Ano de defesa: 2009
• Autor(a) principal: Kajihara, Almir Takeo
• Orientador(a): Giacomini, R.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: Engenharia elétrica; Simulação (Computadores)
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/484

A simulação numérica tridimensional é uma ferramenta de trabalho de uso cada vez mais freqüente, devido ao baixo custo envolvido, se comparado ao custo de produção e testes de dispositivos em laboratório. A simulação também apresenta vantagens técnicas, como a possibilidade de variação rápida de características dos dispositivos, com resposta praticamente imediata. Outra fundamental vantagem é a possibilidade de análise das principais grandezas elétricas no interior dos dispositivos, o que é praticamente impossível de se realizar experimentalmente. Este trabalho estuda características de transitores SOI de efeito de campo, em estruturas de 30nm a 70nm de largura de canal, utilizando-se de simulação tridimensional e avaliando a possibilidade de uso de modelos de confinamento quântico em transistores dessas dimensões, uma vez que tais modelos foram originalmente implementados para estruturas menores. Foram simuiladas estruturas bidimensionais com modelos de Física Clássica e com modelos de confinamento quântico (BQP e Schrodinger-Poisson), a fim de escolher a opçãp de modelo que apresenta o melhor resultado. Pode-se observar neste trabalho que o uso do modelo de confinamento quântico BQP é ideal para estruturas muito pequenas (as estruturas com larguras de 30 e 40nm foram facilmente calibradas), mas para larguras acima destas apresenta problemas de convergência e pouco ganho de qualidade. Além da avaliação do uso de modelos de confinamento quântico, explorou-se também o uso do simulador para análise da distribuição de potencial e cargas no interior do dispositivo. Foi tomado o exemplo dos dispositivos de porta tripla que, depois analisados pelos parâmetros elétricos extraídos das curvas corrente x tensão (tensão de limiar, inclinação de sublimiar e transcondutância), foram observados através de planos de corte (transversal e longitudinal) contendo concentração de portadores e potencial elétrico. Com isso, foi possível observar como as variações geométricas de alteração da inclinação das paredes laterais, variações de comprimento de canal e níveis de dopagem influencial no funcionamento do dispositivo (demonstrado neste trabalho através das variações de concentração de elétrons no canal e nas variações de parâmetros elétricos).