Análise das alterações de características elétricas de pseudorresistores por ação do aumento de temperatura e radiação ionizante

• Ano de defesa: 2025
• Autor(a) principal: Gomes, Antonio Aurélio de Sousa
• Orientador(a): Giacomini, R. C.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: Pseudorresistor; Radiação ionizante; Resistência; Temperatura; Pseudo-resistor; Resistance
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/5751; https://doi.org/10.31414/ee.2025.d.132057

Com a evolução da microeletrônica novos dispositivos surgiram, e junto a eles surgiu o pseudorresistor, que na verdade, é um transistor MOS com uma conexão específica entre seus terminais. Nessa configuração, ele se comporta como um transistor MOS para uma limitada faixa de tensão, como um transistor bipolar em outra faixa e por ultimo, como um resistor. Neste trabalho, foi realizado o estudo das propriedades elétricas do pseudorresistor em relação a algumas adversidades, como a variação de temperatura do local onde ele está operando, considerando de 30 °C a 60 °C em passos de 10 °C de temperatura, e a exposição à radiação ionizante, do tipo raios X, avaliando o fenômeno da dose total de ionização (TID). Atrelado ao TID, foi analisado o tempo de annealing (recozimento) que o dispositivo precisa para retornar a suas características originais. Foi verificado que o dispositivo exibe diferentes valores de resistência em diferentes temperaturas, pois com o aumento da densidade de portadores intrínsecos no semicondutor, devido à geração térmica de pares elétron-lacuna. Com esse aumento há uma redução na resistividade do material, por isso, a temperatura de operação deve ser considerada quando o dispositivo for colocado para operação. Para a exposição a raios X, sua resistência equivalente variou pouco, considerando algumas doses acumuladas, de 4,3; 5,3 e 22 krad de dose total acumulada pelo dispositivo, que significa que o dispositivo ficou com cargas acumuladas regiões de óxido e nas interfaces óxido-semicondutor. Após o término da irradiação, o dispositivo permaneceu com efeitos da irradiação sobre ele durante algum tempo, mas depois ele tendeu a retornar a suas características originais, devido o annealing natural. Com simulações foi possível verificar que os circuitos auxiliares de caracterização (buffers) não interferem no processo de caracterização da resistência equivalente do pseudorresistor