Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical

• Ano de defesa: 2009
• Autor(a) principal: Cattaneo, M.
• Orientador(a): Giacomini, R.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: Engenharia elétrica; Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor; Transistores
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/438

Este trabalho tem como objetivo apresentar um estudo da influência da polarização de substrato ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações numéricas tridimensionais. O FinFET possui maior controle das cargs na região ativa em relação aos transistores SOI planares, por isso é mais imune aos efeitos de canal curto. São estruturas que apresentam dimensões na ordem de dezenas de nanômetros. Os dispositivos FinFETs estudados são estruturas de porta dupla. O que se deseja, é analisar o comportamento do parâmetro da tensão limiar (Vth) para inversão na interface óxido de porta e região ativa de silício (1ª interface) do dispositivo para as variações positivas e negativas de tensão aplicada na porta inferior (sbstrato). Realiza-se uma análise da distribuição de cargas e do comportamento da tensão de limiar devido à influência das portas laterais e da porta inferior na 2ª interface do dispositivo, levando-se em consideração a variação da largura Vfin e a variação da concentração de dopagem Na. Através desta análise demonstra-se que os dispositivos FinFETs com largura (Wfin) menor apresentam uma menor influência da polarização de porta inferior na região ativa de silício, o que siginifica um menor efeito de corpo e que é caracterizado pela menor inclinação na curva característica da tensão limiar (Vth) em função da tensão de porta inferior (Vg2). Este fato traz vantagens em termos de parâmetros elétricos e características operacionais, tais como o controle de dreno pela porta, menor inclinação de sunblimiar, menor variação daamplitude da tensão de limiar e aumento no intervalo de valores de tensão de substrato em que o dispositivo permanece totalmente depletado. Além disso, observa-se que os dispositivos estudados não apresentam a 2ª interface totalmente acumulada em nenhuma condição de tensão substrato (até- 30V), quando a primeira interface encontra-se invertida. Este fato deve-se ao compartilhamento de uma regiãoativa (cantos inferiores) que pertencem às duas interfaces. Sendo assim, em função de Vg2, há condições de acumulação parcial da 2ª interface. Esta acumulaçãosurge inicialmente no centro da seção transversal e, conforme a tensão de substrato torna-se mais negativa, esta região acumulada cresce e aproxima-se dos cantos. Como consequência há leve (quantificada no trabalho) variação da tensão de limiar com Vg2, mesmo para acumulação na 2ª interface, o que não se observa em dispositivos planares. A dependência da tensão limiar com a polarização de substrato ficou bem caracterizada nos FinFETs estudados, bem como a distribuição da densidade de corrente