Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2007
Autor(a) principal: Andrade, M. G. C.
Orientador(a): Martino, J. A.
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Engenharia elétrica
Tecnologia de silício sobre isolante
Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/652
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