Proposta de uma nova estrutura para a medida do autoaquecimento em nanofios transistores MOS

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2025
Autor(a) principal: Carnielli, Felipe Rodrigues Garé
Orientador(a): Pavanello, M. A.
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Nanofios SOI
Diodo PIN
Monitoramento do autoaquecimento
Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/5754
https://doi.org/10.31414/ee.2025.d.132092
Resumo: Com o objetivo de propor uma alternativa de caracterização para o fenômeno de autoaquecimento, este trabalho inicialmente apresenta simulações numéricas para uma análise do comportamento térmico em um transistor MOS nanofio transistor MOS fabricado na tecnologia SOI, verificando a incidência do autoaquecimento no componente estudado. Em seguida uma nova estrutura é proposta em ambiente de simulação, composta de um diodo PIN paralelo ao transistor MOS compartilhando o mesmo metal de porta para melhorar o acoplamento térmico e consequentemente a precisão da extração. Diversas simulações alterando parâmetros como o comprimento do canal dos componentes, a temperatura dos arredores e a distância entre os dispositivos e demonstram o fluxo de parte do calor gerado pelo transistor para o diodo PIN vizinho. Um novo método foi proposto para calibração da estrutura empregando a modulação da distância entre o transistor e o diodo para encontrar a temperatura média do componente, possibilitando também encontrar a equação empírica que rege o comportamento térmico do transistor. A estrutura simulada demonstrou ser um método viável para estimativa do calor gerado em um transistor de dimensões reduzidas, apresentando taxa de erro mínima, inferior a 6%, em uma grande faixa de temperaturas
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