Estudo comparativo entre osciladores para sensores indutivos de proximidade no projeto de circuitos integrados

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2013
Autor(a) principal: Silva, Daniely Gomes lattes
Orientador(a): Ribeiro, Jos?? Ant??nio Justino lattes, Pimenta, Tales Cleber lattes
Banca de defesa: Ribeiro, Jos?? Ant??nio Justino lattes, Pimenta, Tales Cleber lattes, Marins, Carlos Nazareth Motta lattes, Moreno, Robson Luiz lattes
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Instituto Nacional de Telecomunica????es
Programa de Pós-Graduação: Mestrado em Engenharia de Telecomunica????es
Departamento: Instituto Nacional de Telecomunica????es
País: Brasil
Palavras-chave em Português:
Sensor indutivo de proximidade; oscilador; corrente induzida; circuito integrado; grandes deslocamentos
Área do conhecimento CNPq:
Engenharia - Telecomunica????es
Link de acesso: http://tede.inatel.br:8080/tede/handle/tede/36
Resumo: This work presents a study on proximity inductive sensors, in particular the eddy current types. Two types of circuits capable of detecting metal objects at large distances (12mm) will be discussed. The first one uses an operational amplifier oscillator with positive feedback. The second topology is based on a cross-coupled oscillator with negative transconductance. Both operate at a frequency of 257kHz. The second model has advantages such as greater simplicity for integration, small silicon area, reduced cost, low power consumption, and the possibility of achieving a satisfactory hysteresis adjustment for sensor operation. It was also verified its thermal drift for different sensing distances. This structure proved to be the best solution and was chosen to be implemented in a 0.6??m CMOS technology.
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Two types of circuits capable of detecting metal objects at large distances (12mm) will be discussed. The first one uses an operational amplifier oscillator with positive feedback. The second topology is based on a cross-coupled oscillator with negative transconductance. Both operate at a frequency of 257kHz. The second model has advantages such as greater simplicity for integration, small silicon area, reduced cost, low power consumption, and the possibility of achieving a satisfactory hysteresis adjustment for sensor operation. It was also verified its thermal drift for different sensing distances. This structure proved to be the best solution and was chosen to be implemented in a 0.6??m CMOS technology.Este trabalho apresenta um estudo sobre os sensores indutivos de proximidade, em especial os de corrente induzida. Ser??o discutidos dois tipos de circuitos capazes de detectarem objetos met??licos a grandes dist??ncias (12mm). O primeiro utiliza um oscilador com amplificador operacional e realimenta????o positiva. A segunda topologia baseia-se em um oscilador com acoplamento cruzado e transcondut??ncia negativa. Ambos operam na frequ??ncia de 257kHz. O segundo modelo possui vantagens como maior simplicidade para integra????o, menor ??rea de sil??cio, menor custo, baixo consumo de pot??ncia e possibilidade de alcan??ar um ajuste de histerese satisfat??rio para a opera????o do sensor. Tamb??m se analisou a sua varia????o t??rmica para diferentes dist??ncias sensoras. Essa estrutura mostrou-se a melhor solu????o e foi escolhida para ser implementada utilizando tecnologia CMOS 0,6??m.Submitted by Tede Dspace (tede@inatel.br) on 2016-07-06T18:19:02Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 0 bytes, checksum: d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e (MD5) Disserta????o V.Final Daniely Gomes Silva.pdf: 4242736 bytes, checksum: 7fd2607e5a0fbb03084c7f6a3e6f8bb6 (MD5)Made available in DSpace on 2016-07-06T18:19:02Z (GMT). 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