Efeito Rashba em nanoestruturas de materiais semicindutores do tip IV-VI.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2002
Autor(a) principal: Marcelo Mendes Hasegawa
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Instituto Tecnológico de Aeronáutica
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Interações spin-órbita
Nanoestruturas
Materiais semicondutores
Teoria quântica
Spin eletrônico
Física da matéria condensada
Física
Link de acesso: http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2569
Resumo: Esta tese trata do Efeito Rashba ou interação spin- órbita em nanoestruturas semicondutoras de materiais do tipo IV-VI. Os materiais semicondutores do tipo IV-VI apresentam uma estrutura de múltiplos vales e uma forte interação spin-órbita, sendo bons candidatos para aplicações em spintrônica. As energias dos estados quantizados para eletrons confinados em poços quânticos assimétricos crescidos nas direções [11
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