Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2020
Autor(a) principal: Vasconcelos, Jackelinne Lares
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Pontifícia Universidade Católica de Goiás
Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção
Brasil
PUC Goiás
Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Semicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidade
Semiconductors; silicon carbide; SiC; mobility
Engenharias: Engenharia de Produção
Link de acesso: http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4473
Resumo: Neste trabalho estudamos o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p ou n, utilizando uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado, da temperatura e do tipo de dopagem (p ou n) foi analisada. Obtemos que a maior mobilidade ocorre quando o semicondutor 4H-SiC é dopado tipo n, com a direção do campo elétrico perpendicular ao eixo c do cristal
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spelling Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutoresStudy of the effect of doping type on silicon carbide for application in the semiconductor industrySemicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidadeSemiconductors; silicon carbide; SiC; mobilityEngenharias: Engenharia de ProduçãoNeste trabalho estudamos o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p ou n, utilizando uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado, da temperatura e do tipo de dopagem (p ou n) foi analisada. Obtemos que a maior mobilidade ocorre quando o semicondutor 4H-SiC é dopado tipo n, com a direção do campo elétrico perpendicular ao eixo c do cristalIn this work we study the charge transport in the silicon carbide semiconductor in the form of 4H-SiC, doped type p or n, using a differential equation of motion. The dependence of the electric charge transport according to the intensity and direction of the applied electric field, the crystal temperature and the type of doping (p or n) was analyzed. We obtain that the greatest mobility occurs when the semiconductor 4H-SiC is doped type n, with the direction of the electric field perpendicular to the c axis of the crystalPontifícia Universidade Católica de GoiásEscola de Engenharia::Curso de Engenharia de ProduçãoBrasilPUC GoiásPrograma de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e SistemasRodrigues, Clóves Gonçalveshttp://lattes.cnpq.br/7962325017303457Calixto, Wesley Pachecohttp://lattes.cnpq.br/9073478192027867Menezes, José Elmo dehttp://lattes.cnpq.br/9654702573176547Vasconcelos, Jackelinne Lares2020-09-29T19:36:31Z2020-03-24info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfVasconcelos, Jackelinne Lares. Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de Silício para aplicação na indústria de semicondutores. 2020. 45 f. Dissertação (mestrado) -- Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Escola de Engenharia, Goiânia, 2020http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4473porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)instname:Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)instacron:PUC_GO2020-12-01T17:46:16Zoai:ambar:tede/4473Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/oai/requesttede@pucgoias.edu.br||tede@pucgoias.edu.bropendoar:65932020-12-01T17:46:16Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)false
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