Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2020
Autor(a) principal: Vasconcelos, Jackelinne Lares lattes
Orientador(a): Rodrigues, Clóves Gonçalves lattes
Banca de defesa: Calixto, Wesley Pacheco lattes, Menezes, José Elmo de lattes
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Pontifícia Universidade Católica de Goiás
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
Departamento: Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção
País: Brasil
Palavras-chave em Português:
Semicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidade
Palavras-chave em Inglês:
Semiconductors; silicon carbide; SiC; mobility
Área do conhecimento CNPq:
Engenharias: Engenharia de Produção
Link de acesso: https://tede2.pucgoias.edu.br/handle/tede/4473
Resumo: In this work we study the charge transport in the silicon carbide semiconductor in the form of 4H-SiC, doped type p or n, using a differential equation of motion. The dependence of the electric charge transport according to the intensity and direction of the applied electric field, the crystal temperature and the type of doping (p or n) was analyzed. We obtain that the greatest mobility occurs when the semiconductor 4H-SiC is doped type n, with the direction of the electric field perpendicular to the c axis of the crystal
id PUC_GO_0fc049ce1344bc5a0b6ab5f7a8f79bc8
oai_identifier_str oai:ambar:tede/4473
network_acronym_str PUC_GO
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
repository_id_str
spelling Rodrigues, Clóves Gonçalveshttp://lattes.cnpq.br/7962325017303457Calixto, Wesley Pachecohttp://lattes.cnpq.br/9073478192027867Menezes, José Elmo dehttp://lattes.cnpq.br/9654702573176547http://lattes.cnpq.br/2573834572271460Vasconcelos, Jackelinne Lares2020-09-29T19:36:31Z2020-03-24VASCONCELOS, Jackelinne Lares. Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores. 2020. 45 f. Dissertação (mestrado) -- Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Escola de Engenharia, Goiânia, 2020https://tede2.pucgoias.edu.br/handle/tede/4473In this work we study the charge transport in the silicon carbide semiconductor in the form of 4H-SiC, doped type p or n, using a differential equation of motion. The dependence of the electric charge transport according to the intensity and direction of the applied electric field, the crystal temperature and the type of doping (p or n) was analyzed. We obtain that the greatest mobility occurs when the semiconductor 4H-SiC is doped type n, with the direction of the electric field perpendicular to the c axis of the crystalNeste trabalho estudamos o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p ou n, utilizando uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado, da temperatura e do tipo de dopagem (p ou n) foi analisada. Obtemos que a maior mobilidade ocorre quando o semicondutor 4H-SiC é dopado tipo n, com a direção do campo elétrico perpendicular ao eixo c do cristalSubmitted by admin tede (tede@pucgoias.edu.br) on 2020-09-29T19:36:31Z No. of bitstreams: 1 Jackelinne Lares Vasconcelos.pdf: 1683466 bytes, checksum: 1f66cd9f5093f884725a972779db52fb (MD5)Made available in DSpace on 2020-09-29T19:36:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Jackelinne Lares Vasconcelos.pdf: 1683466 bytes, checksum: 1f66cd9f5093f884725a972779db52fb (MD5) Previous issue date: 2020-03-24application/pdfhttps://tede2.pucgoias.edu.br/retrieve/14252/Jackelinne%20Lares%20Vasconcelos.pdf.jpghttps://tede2.pucgoias.edu.br/retrieve/14538/Jackelinne%20Lares%20Vasconcelos.pdf.jpgporPontifícia Universidade Católica de GoiásPrograma de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e SistemasPUC GoiásBrasilEscola de Engenharia::Curso de Engenharia de ProduçãoSemicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidadeSemiconductors; silicon carbide; SiC; mobilityEngenharias: Engenharia de ProduçãoEstudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutoresStudy of the effect of doping type on silicon carbide for application in the semiconductor industryinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)instname:Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)instacron:PUC_GOTHUMBNAILJackelinne Lares Vasconcelos.pdf.jpgJackelinne Lares Vasconcelos.pdf.jpgimage/jpeg3284http://localhost:8080/tede/bitstream/tede/4473/3/Jackelinne+Lares+Vasconcelos.pdf.jpg9cd2a5fb9560ff0aeb212899bf36c32bMD53TEXTJackelinne Lares Vasconcelos.pdf.txtJackelinne Lares Vasconcelos.pdf.txttext/plain48784http://localhost:8080/tede/bitstream/tede/4473/2/Jackelinne+Lares+Vasconcelos.pdf.txtd6cf98e999e99fe1e91a2e0cd532aa0aMD52ORIGINALJackelinne Lares Vasconcelos.pdfJackelinne Lares Vasconcelos.pdfapplication/pdf1700995http://localhost:8080/tede/bitstream/tede/4473/1/Jackelinne+Lares+Vasconcelos.pdf15bdfbfd1dab82c4af99d5f4ca7a4edfMD51tede/44732025-12-01 10:15:12.926oai:ambar:tede/4473Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/oai/requesttede@pucgoias.edu.bropendoar:65932025-12-01T12:15:12Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)false
dc.title.eng.fl_str_mv Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
dc.title.alternative.eng.fl_str_mv Study of the effect of doping type on silicon carbide for application in the semiconductor industry
title Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
spellingShingle Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
Vasconcelos, Jackelinne Lares
Semicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidade
Semiconductors; silicon carbide; SiC; mobility
Engenharias: Engenharia de Produção
title_short Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
title_full Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
title_fullStr Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
title_full_unstemmed Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
title_sort Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores
author Vasconcelos, Jackelinne Lares
author_facet Vasconcelos, Jackelinne Lares
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Rodrigues, Clóves Gonçalves
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/7962325017303457
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Calixto, Wesley Pacheco
dc.contributor.referee1Lattes.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/9073478192027867
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Menezes, José Elmo de
dc.contributor.referee2Lattes.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/9654702573176547
dc.contributor.authorLattes.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/2573834572271460
dc.contributor.author.fl_str_mv Vasconcelos, Jackelinne Lares
contributor_str_mv Rodrigues, Clóves Gonçalves
Calixto, Wesley Pacheco
Menezes, José Elmo de
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidade
topic Semicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidade
Semiconductors; silicon carbide; SiC; mobility
Engenharias: Engenharia de Produção
dc.subject.eng.fl_str_mv Semiconductors; silicon carbide; SiC; mobility
dc.subject.cnpq.fl_str_mv Engenharias: Engenharia de Produção
description In this work we study the charge transport in the silicon carbide semiconductor in the form of 4H-SiC, doped type p or n, using a differential equation of motion. The dependence of the electric charge transport according to the intensity and direction of the applied electric field, the crystal temperature and the type of doping (p or n) was analyzed. We obtain that the greatest mobility occurs when the semiconductor 4H-SiC is doped type n, with the direction of the electric field perpendicular to the c axis of the crystal
publishDate 2020
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2020-09-29T19:36:31Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2020-03-24
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.citation.fl_str_mv VASCONCELOS, Jackelinne Lares. Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores. 2020. 45 f. Dissertação (mestrado) -- Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Escola de Engenharia, Goiânia, 2020
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://tede2.pucgoias.edu.br/handle/tede/4473
identifier_str_mv VASCONCELOS, Jackelinne Lares. Estudo do efeito do tipo de dopagem no carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores. 2020. 45 f. Dissertação (mestrado) -- Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Escola de Engenharia, Goiânia, 2020
url https://tede2.pucgoias.edu.br/handle/tede/4473
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Pontifícia Universidade Católica de Goiás
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
dc.publisher.initials.fl_str_mv PUC Goiás
dc.publisher.country.fl_str_mv Brasil
dc.publisher.department.fl_str_mv Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção
publisher.none.fl_str_mv Pontifícia Universidade Católica de Goiás
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
instname:Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)
instacron:PUC_GO
instname_str Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)
instacron_str PUC_GO
institution PUC_GO
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
bitstream.url.fl_str_mv http://localhost:8080/tede/bitstream/tede/4473/3/Jackelinne+Lares+Vasconcelos.pdf.jpg
http://localhost:8080/tede/bitstream/tede/4473/2/Jackelinne+Lares+Vasconcelos.pdf.txt
http://localhost:8080/tede/bitstream/tede/4473/1/Jackelinne+Lares+Vasconcelos.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 9cd2a5fb9560ff0aeb212899bf36c32b
d6cf98e999e99fe1e91a2e0cd532aa0a
15bdfbfd1dab82c4af99d5f4ca7a4edf
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)
repository.mail.fl_str_mv tede@pucgoias.edu.br
_version_ 1856222758572130304

Registros relacionados