[pt] ESTUDO DA INCORPORAÇÃO DE FÓSFORO EM GRAFENO CRESCIDO POR CVD USANDO TRIFENILFOSFINA COMO PRECURSOR

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2015
Autor(a) principal: GIL CAPOTE MASTRAPA
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: MAXWELL
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
[pt] RAMAN
[pt] CVD
[pt] FOSFORO
[pt] DOPANTE
[pt] GRAFENO
[en] RAMAN
[en] CVD
[en] PHOSPHORUS
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[en] GRAPHENE
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http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.24241
Resumo: [pt] Neste trabalho foram obtidos filmes de grafeno usando um precursor sólido, a Trifenilfosfina, num processo de deposição química na fase vapor em alto vácuo (HVCVD). A microscopia eletrônica de Varredura permitiu observar a presença de pequenas regiões inomogêneas na superfície das amostras crescidas. Estas regiões foram observadas na microscopia antes e após o processo de transferência da folha de cobre para o substrato de silício oxidado. Medidas realizadas por XPS permitiram comprovar a incorporação de fósforo no filme crescido. A espectroscopia Raman foi usada para determinar a temperatura de trabalho adequada no sistema de crescimento. A presença de grafeno foi confirmada em todas as amostras, mas observou-se que, em geral, a quantidade de defeitos nas amostras cresceu com o aumento da massa do precursor utilizado no crescimento. Os resultados obtidos são discutidos à luz de recentes trabalhos teóricos que tratam do uso da técnica Raman no estudo de defeitos em grafeno.
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