Estudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentado

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2004
Autor(a) principal: Joya, Miryam Rincón
Orientador(a): Pizani, Paulo Sérgio lattes
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de São Carlos
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF
Departamento: Não Informado pela instituição
País: BR
Palavras-chave em Português:
Matéria - propriedades
Raman, Espalhamento de
Indentado
InSb
Semicondutores
Área do conhecimento CNPq:
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Link de acesso: https://repositorio.ufscar.br/handle/20.500.14289/5049
Resumo: Financiadora de Estudos e Projetos
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