Estudo das propriedades ópticas e elétricas de filmes finos de seleneto de cobre obtidos por "banho químico"

• Ano de defesa: 2024
• Autor(a) principal: Yamanishi, Gustavo
• Orientador(a): Urbano, Alexandre [Orientador]
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Filmes finos; Propriedades óticas; Propriedades elétricas; Diodos emissores de luz; Optical properties; Electric properties; Light emitting diodes; Physics; Copper selenide; Thin films
• Link de acesso: https://repositorio.uel.br/handle/123456789/16673

Resumo: O seleneto de cobre é um semicondutor tipo p com características energéticas adequadas para aplicações em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de filmes finos Na literatura encontram-se poucos trabalhos que utilizam o planejamento de experimentos com a finalidade de otimização dos parâmetros de síntese de filmes finos assim como são raras a aplicação de filmes finos de seleneto de cobre em diodos orgânicos emissores de luz (OLED) Com o objetivo de se investigar a otimização das propriedades ópticas e elétricas de filmes finos de seleneto de cobre, obtidos pela técnica de banho químico neste trabalho delineou-se um planejamento fatorial 23 com ponto central em triplicata, para estudar a influência dos parâmetros de síntese nas respostas de transmitância e resistividade As variáveis escolhidas foram concentração da solução de selenossulfato de sódio, tempo de reação e espessura dos filmes As respostas analisadas foram resistividade de superfície, transmitância e refletância óptica, energia de gap, estrutura cristalina, espessura e composição elementar Construíram-se OLEDs com a deposição de MDMO-PPV e alumínio sobre os filmes finos de seleneto de cobre, a fim de se avaliar a integração dos filmes ao processo de eletroluminescência Os filmes de seleneto de cobre produzidos apresentaram resistividade de superfície entre 3,49 e 853,59 O/? e transmitância óptica entre 11,93 e 49,5% para a faixa de comprimento de onda entre 574 a 584 nm O planejamento indicou claramente que quanto maior a transmitância maior a resistividade elétrica e vice-versa Os filmes apresentaram-se amorfos e compostos por átomos de cobre e selênio isentos de contaminantes A energia de gap média dos filmes foi de 2,8 eV sendo que apenas os dispositivos produzidos com filmes finos de seleneto de cobre com as configurações +++, +-- e contribuíram para a promoção da eletroluminescência na camada de MDMOPPV Destes resultados pode-se concluir que as propriedades físicas dos filmes são fortemente dependentes dos parâmetros de síntese e que, sendo as grandezas de transmitância e resistividade diretamente proporcionais, deve-se optar pela configuração que atenda à aplicação desejada