Engenharia de band gap através de defeitos em NaTaO3 e NaNbO3 : Uma abordagem teórica

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2023
Autor(a) principal: Cerceau, João Pedro Osório
Orientador(a): Arantes Junior, Jeverson Teodoro
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal do ABC
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Link de acesso: http://biblioteca.ufabc.edu.br/index.php?codigo_sophia=126782&midiaext=81267
Resumo: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nivel Superior
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spelling info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisEngenharia de band gap através de defeitos em NaTaO3 e NaNbO3 : Uma abordagem teórica2023-07-06Arantes Junior, Jeverson TeodoroCerceau, João Pedro OsórioUniversidade Federal do ABCPrograma de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de MateriaisUFABCporHIDROGÊNIO VERDEFOTOCATPEROVSKITASSEPARAENERGIA DE FORMAÇÃO DE DEFEITOSPOTENCIAIS QUDOPAGEMGREEN HYDROGENPHOTOCATALYSISPEROVSKITESWATER-SPLITTINGDEFECT FORMATION ENERGYCHEMICAL POTENTIALSDOPPINGPROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM CIÊNCIA E ENGENHARIA DE MATERIAIS - UFABCCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nivel SuperiorA matriz energética do século XXI deverá passar por um processo de descarbonização a fim de que as metas de redução para emissão de gases do efeito estufa sejam alcançadas. Esse conceito de transição verde surge como necessidade para as próximas décadas. Dentre as várias tecnologias necessárias, o hidrogênio verde atende a alguns usos específicos como em veículos pesados e indústrias de alta demanda energética. Sua síntese sem emissão de gases estufa, porém, necessita de avanços tecnológicos como o desenvolvimento de materiais semicondutores mais eficientes, baratos, com processos de síntese menos poluentes e com menos subprodutos tóxicos. Para a síntese do hidrogênio, uma técnica sem emissão de gases é a fotocatálise, na qual radiação luminosa incide sobre a superfície de um material semicondutor imerso em uma solução aquosa. Asperovskitas tantalato(NaTaO3) eniobato (NaNbO3) de sódio são materiais semicondutore spromissores e podem ter suas estruturas de bandas mais adequadas a um valor de bandgap que englobe melhor os potenciais, respectivamente, de fotorredução (0 V), e de foto-oxidação (1.23 V) da água, que são os potenciais do eletrodo normal de hidrogênio (ENH). Neste trabalho, estudamos a termodinâmica de formação e propriedades eletrônicas de estruturas de NaTaO3 e NaNbO3. Os resultados permitiram comparação de valores de bandgap de duas estruturas modeladas para o material, validadas em comparação a literatura com estudos similares de dopagem experimental de nióbio em tantalato e tântalo em niobato.http://biblioteca.ufabc.edu.br/index.php?codigo_sophia=126782&midiaext=81267application/pdfreponame:Repositório Institucional da UFABCinstname:Universidade Federal do ABC (UFABC)instacron:UFABCinfo:eu-repo/semantics/openAccess2026-01-15T22:08:04Zoai:BDTD:126782Repositório InstitucionalPUBhttp://www.biblioteca.ufabc.edu.br/oai/oai.phpopendoar:2024-08-08T11:45:04Repositório Institucional da UFABC - Universidade Federal do ABC (UFABC)false
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